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1. (WO2008121978) DEL HAUTE LUMINOSITÉ COMPRENANT DEUX FACES N À SURFACES RUGEUSES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/121978    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/058936
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 31.03.2008
CIB :
H01L 31/0236 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor, Oakland, California 94607 (US) (Tous Sauf US).
MISHRA, Umesh Kumar [US/US]; (US) (US Seulement).
GRUNDMANN, Michael [US/US]; (US) (US Seulement).
DENBAARS, Steven P. [US/US]; (US) (US Seulement).
NAKAMURA, Shuji [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MISHRA, Umesh Kumar; (US).
GRUNDMANN, Michael; (US).
DENBAARS, Steven P.; (US).
NAKAMURA, Shuji; (US)
Mandataire : GATES, George H.; Gates & Cooper LLP, 6701 Center Drive West, Suite 1050, Los Angeles, California 90045 (US)
Données relatives à la priorité :
60/908,919 29.03.2007 US
Titre (EN) DUAL SURFACE-ROUGHENED N-FACE HIGH-BRIGHTNESS LED
(FR) DEL HAUTE LUMINOSITÉ COMPRENANT DEUX FACES N À SURFACES RUGEUSES
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting diode, comprising a substrate, a buffer layer on the substrate, an active layer on the buffer layer and between an n-type layer and a p-type layer, a tunnel junction adjacent the p-type layer, and n-type contacts to the tunnel junction and the n-type layer, wherein the buffer layer, n-type layer, p-type layer, active region and tunnel junction comprise Ill-nitride material grown in a nitrogen-face (N-face) orientation. The substrate surface upon which the Ill-nitride material is deposited is patterned to provide embedded backside roughening. A top surface of the tunnel junction, which also the top surface of the Ill-nitride material, is roughened.
(FR)La présente invention concerne une diode électroluminescente qui comprend un substrat, une couche tampon formée sur le substrat, une couche active formée sur la couche tampon et intercalée entre une couche de type n et une couche de type p, une jonction tunnel adjacente à la couche de type p, et des contacts de type avec la jonction tunnel et la couche de type n. La couche tampon, la couche de type n, la couche de type p, la région active et la jonction tunnel comprennent un matériau à base de nitrure III, formé par croissance selon une orientation correspondant à la face azote (face N). La surface de substrat sur laquelle le matériau à base de nitrure III est déposé, est structurée de manière qu'une rugosité de la face arrière incluse est obtenue. La surface supérieure de la jonction tunnel, qui forme également la surface supérieure du matériau à base de nitrure III est également rendue rugueuse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)