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1. (WO2008121976) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS III-N SUR LA FACE N DE COUCHES FORMÉES DANS LA DIRECTION DE LA FACE III PAR SOUDAGE DE PLAQUETTES ET ÉLIMINATION DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/121976    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/058931
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 31.03.2008
CIB :
H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/205 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, California 94607 (US) (Tous Sauf US).
MISHRA, Umesh Kumar [US/US]; (US) (US Seulement).
MCCARTHY, Lee S. [US/US]; (US) (US Seulement).
SUH, Chang Soo [KR/US]; (US) (US Seulement).
RAJAN, Siddharth [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MISHRA, Umesh Kumar; (US).
MCCARTHY, Lee S.; (US).
SUH, Chang Soo; (US).
RAJAN, Siddharth; (US)
Mandataire : GATES, George H.; Gates & Cooper LLP, 6701 Center Drive West, Suite 1050, Los Angeles, California 90045 (US)
Données relatives à la priorité :
60/908,917 29.03.2007 US
Titre (EN) METHOD TO FABRICATE III-N SEMICONDUCTOR DEVICES ON THE N-FACE OF LAYERS WHICH ARE GROWN IN THE III-FACE DIRECTION USING WAFER BONDING AND SUBSTRATE REMOVAL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS III-N SUR LA FACE N DE COUCHES FORMÉES DANS LA DIRECTION DE LA FACE III PAR SOUDAGE DE PLAQUETTES ET ÉLIMINATION DE SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating III-N semiconductor devices on the N-face of layers comprising (a) growing a Ill-nitride semiconductor device structure in a Ga-polar direction on a substrate, (b) attaching a Ga face of the Ill-nitride semiconductor device structure to a host substrate, and (c) removing the substrate to expose the N-face surface of the III -nitride semiconductor device structure. An N-polar (000-1) oriented III -nitride semiconductor device is also disclosed, comprising one or more (000-1) oriented nitride layers, each having an N-face opposite a group Ill-face, wherein at least one N-face is an at least partially exposed N-face, and a host substrate attached to one of the group Ill-faces.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs III-N sur la face N de couches, consistant à (a) faire pousser une structure de dispositifs semi-conducteurs de nitrure III dans une direction polaire Ga sur un substrat, (b) à fixer une face Ga de la structure de dispositifs semi-conducteur nitrure III sur un substrat hôte, et (c) à éliminer le substrat afin d'exposer la surface de la face N de la structure du dispositif semi-conducteur nitrure III. L'invention concerne également un dispositif semi-conducteur nitrure III à orientation polaire N (000-1), comprenant une ou plusieurs couches de nitrure orienté (000-1) comportant chacune une face N opposée à la face de groupe III, au moins une face N étant au moins partiellement exposée, et un substrat hôte fixé sur une des faces de groupe III.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)