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1. (WO2008121939) DISPOSITIF CMOS À BASE DE GRILLE DE MÉTAL DE K ÉLEVÉ, À OXYDE DE GRILLE NITRURÉ PAR PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/121939    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/058857
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 31.03.2008
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US) (Tous Sauf US).
ALSHAREEF, Husam, Niman [US/US]; (US) (US Seulement).
QUEVEDO-LOPEZ, Manuel [MX/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ALSHAREEF, Husam, Niman; (US).
QUEVEDO-LOPEZ, Manuel; (US)
Mandataire : FRANZ, Warren, L.; Texas Instruments Incorporated, Deputy General Patent Counsel, P.O. Box 655474, Ms 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
11/694,419 30.03.2007 US
Titre (EN) PLASMA NITRIDED GATE OXIDE, HIGH-K METAL GATE BASED CMOS DEVICE
(FR) DISPOSITIF CMOS À BASE DE GRILLE DE MÉTAL DE K ÉLEVÉ, À OXYDE DE GRILLE NITRURÉ PAR PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)In accordance with the invention, there are CMOS devices (100) and semiconductor devices and methods of fabricating them. The CMOS device can include a substrate (110) including a first active region (112) and a second active region (114) and a first transistor device over the first active region, wherein the first transistor device includes a high-K layer (120) over the first active region, a first dielectric capping layer on the high-K layer, and a first metal gate layer over the first dielectric capping layer (132). The CMOS device can also include a second transistor device over the second active region, wherein the second transistor device includes a high-K layer over the second active region, a second dielectric capping layer (134) on the second high-K layer, and a second metal gate layer over the second dielectric capping layer.
(FR)L'invention concerne des dispositifs CMOS (100), des dispositifs de semi-conducteur et des procédés de fabrication de ceux-ci. Le dispositif CMOS peut comprendre un substrat (110) comprenant une première région active (112), une seconde région active (114) et un premier dispositif de transistor sur la première région active, le premier dispositif de transistor comprenant une couche de K élevé (120) sur la première région active, une première couche de coiffage diélectrique sur la couche de K élevé, et une première couche de grille de métal sur la première couche de coiffage électrique (132). Le dispositif CMOS peut également comprendre un second dispositif de transistor sur la seconde région active, le second dispositif de transistor comprenant une couche de K élevé sur la seconde région active, et une seconde couche de coiffage diélectrique (134) sur la seconde couche de K élevé, et une seconde couche de grille en métal sur la seconde couche de coiffage diélectrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)