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1. (WO2008121925) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE COUCHE D'ADHÉRENCE EN SILICIUM NITRURÉ AMORPHE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/121925    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/058833
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 31.03.2008
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US) (Tous Sauf US).
WANG, Maria [US/US]; (US) (US Seulement).
SHOEMAKER, Erika, Leigh [US/US]; (US) (US Seulement).
ROBY, Mary [US/US]; (US) (US Seulement).
JACOBSEN, Stuart [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WANG, Maria; (US).
SHOEMAKER, Erika, Leigh; (US).
ROBY, Mary; (US).
JACOBSEN, Stuart; (US)
Mandataire : FRANZ, Warren, L.; Texas Instruments Incorporated Deputy General Patent Counsel P.O. Box 655474, MS 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
11/693,833 30.03.2007 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING AN AMORPHOUS NITRIDED SILICON ADHESION LAYER AND METHOD OF MANUFACTURE THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE COUCHE D'ADHÉRENCE EN SILICIUM NITRURÉ AMORPHE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a semiconductor device (100). The method for manufacturing the semiconductor device, without limitation, includes forming a first semiconductor layer (120) over a substrate (110), and forming a second semiconductor layer (140) over the first semiconductor layer, wherein an amorphous nitrided silicon adhesion layer (130) is located between and adheres the first and second semiconductor layers.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur (100). Le procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur comprend, dans un exemple non limitatif, la formation d'une première couche de semi-conducteur (120) sur un substrat (110) et la formation d'une seconde couche de semi-conducteur (140) sur la première couche de semi-conducteur. Une couche d'adhérence en silicium nitruré amorphe (130) est située entre la première et la seconde couche de semi-conducteur, les fixant l'une à l'autre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)