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1. (WO2008121815) PROCÉDÉ D'INJECTION HÉTÉRO-BIMOS POUR MÉMOIRE FLASH NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/121815    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/058651
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 28.03.2008
CIB :
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, California 95052 (US) (Tous Sauf US).
KAVALIEROS, Jack, T. [US/US]; (US) (US Seulement).
DATTA, Suman [IN/US]; (US) (US Seulement).
CHAU, Robert, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
KENCKE, David, L. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KAVALIEROS, Jack, T.; (US).
DATTA, Suman; (US).
CHAU, Robert, S.; (US).
KENCKE, David, L.; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester, J.; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman, 1279 Oakmead Parkway, Sunnyvale, California 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
11/731,162 30.03.2007 US
Titre (EN) HETERO-BIMOS INJECTION PROCESS FOR NON-VOLATILE FLASH MEMORY
(FR) PROCÉDÉ D'INJECTION HÉTÉRO-BIMOS POUR MÉMOIRE FLASH NON VOLATILE
Abrégé : front page image
(EN) A hetero-BiMOS injection system comprises a MOSFET transistor formed on a substrate and a hetero-bipolar transistor formed within the substrate. The bipolar transistor can be used to inject charge carriers into a floating gate of the MOSFET transistor. This is done by operating the MOSFET transistor to form an inversion layer in its channel region and operating the bipolar transistor to drive minority charge carriers from the substrate into a floating gate of the MOSFET transistor. The substrate provides a silicon emitter and a silicon germanium containing base for the bipolar transistor. The inversion layer provides a silicon collector for the bipolar transistor.
(FR)L'invention concerne un système d'injection hétéro-BiMOS qui comporte un transistor MOSFET formé sur un substrat et un transistor hétéro bipolaire formé à l'intérieur du substrat. Le transistor bipolaire peut être utilisé pour injecter des porteurs de charge dans une grille flottante du transistor MOSFET. Ceci est effectué par l'actionnement du transistor MOSFET pour former une couche d'inversion dans sa région de canal et l'actionnement du transistor bipolaire pour entraîner les porteurs de charge minoritaires à partir du substrat dans une grille flottante du transistor MOSFET. Le substrat fournit un émetteur en silicium et une base contenant du silicium et du germanium pour le transistor bipolaire. La couche d'inversion fournit un collecteur en silicium pour le transistor bipolaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)