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1. (WO2008121780) DISSIPATION THERMIQUE DANS DES SUBSTRATS DE PUCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/121780    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/058597
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 28.03.2008
CIB :
H01L 23/34 (2006.01)
Déposants : TEMIC AUTOMOTIVE OF NORTH AMERICA, INC. [US/US]; 21440 W. Lake Cook Road, Deer Park, IL 60010 (US) (Tous Sauf US).
ALHAYEK, Iyad [US/US]; (US) (US Seulement).
BIANCO, Gerry [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ALHAYEK, Iyad; (US).
BIANCO, Gerry; (US)
Mandataire : SKYLES, Joana; 21440 W. Lake Cook Road, Patents And Licenses, 7th Floor, Deer Park, IL 60010 (US)
Données relatives à la priorité :
11/693,280 29.03.2007 US
Titre (EN) THERMAL DISSIPATION IN CHIP SUBSTRATES
(FR) DISSIPATION THERMIQUE DANS DES SUBSTRATS DE PUCE
Abrégé : front page image
(EN)A system for dissipating heat from a semiconductor board includes a first substrate including an opening formed therein, a second substrate attached to a surface of the first substrate, and a microchip positioned in the opening and bumped to the second substrate. The system further includes a heat sink directly adhered to the microchip. A method of manufacturing a heat dissipating semiconductor board includes forming an opening in a first substrate and positioning a microchip in the opening. The method further includes directly adhering the microchip to a heat sink, bonding the microchip to a second substrate and boding a surface of the first substrate to the second substrate.
(FR)L'invention concerne un système pour dissiper la chaleur d'une carte à semi-conducteur qui comprend un premier substrat comprenant une ouverture formée à l'intérieur, un second substrat attaché à une surface du premier substrat et une micropuce positionnée dans l'ouverture et talonnant le second substrat. Le système comprend en outre un dissipateur thermique directement collé à la micropuce. Un procédé de fabrication d'une carte à semi-conducteur dissipant la chaleur comprend la création d'une ouverture dans un premier substrat et le positionnement d'une micropuce dans l'ouverture. Le procédé comprend en outre le collage direct de la micropuce à un dissipateur thermique, la liaison de la micropuce à un second substrat et la liaison d'une surface du premier substrat au second substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)