WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008121659) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DOTÉ D'UNE SOURCE ÉPITAXIALE AUTO-ALIGNÉE ET D'EXTENSIONS DE DRAIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/121659    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/058325
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 26.03.2008
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
SELL, Bernhard [DE/US]; (US) (US Seulement).
GHANI, Tahir [US/US]; (US) (US Seulement).
MURTHY, Anand [IN/US]; (US) (US Seulement).
GOMEZ, Harry [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SELL, Bernhard; (US).
GHANI, Tahir; (US).
MURTHY, Anand; (US).
GOMEZ, Harry; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester, J.; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman, 1279 Oakmead Parkway, Sunnyvale, CA 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
11/729,189 28.03.2007 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SELF-ALIGNED EPITAXIAL SOURCE AND DRAIN EXTENSIONS
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DOTÉ D'UNE SOURCE ÉPITAXIALE AUTO-ALIGNÉE ET D'EXTENSIONS DE DRAIN
Abrégé : front page image
(EN) A method of forming a transistor with self-aligned source and drain extensions in close proximity to a gate dielectric layer of the transistor comprises forming a gate stack on a substrate, implanting a dopant into regions of the substrate adjacent to the gate stack, wherein the dopant increases the etch rate of the substrate and defines the location of the source and drain extensions, forming a pair of spacers on laterally opposite sides of the gate stack that are disposed atop the doped regions of the substrate, etching the doped regions of the substrate and portions of the substrate subjacent to the doped regions, wherein an etch rate of the doped regions is higher than an etch rate of the portions of the substrate subjacent to the doped regions, and depositing a silicon-based material in the etched portions of the substrate.
(FR)Un procédé permettant de former un transistor doté d'une source auto-alignée et d'extensions de drain à proximité immédiate d'une couche diélectrique de grille du transistor comprend la formation d'un empilage de grille sur un substrat, l'implantation d'un dopant dans des régions du substrat adjacentes à l'empilage de grille, lequel dopant augmente le taux de microdécapage du substrat et définit l'emplacement de la source et des extensions de drain, la formation d'une paire d'entretoises sur des côtés latéralement opposés de l'empilage de grille qui sont disposés sur le dessus des régions dopées du substrat, l'attaque chimique des régions dopées du substrat et des portions du substrat sous-jacentes aux régions dopées, dans laquelle le taux de microdécapage des régions dopées est supérieur au taux de microdécapage des portions du substrat sous-jacentes aux régions dopées, et le dépôt d'un matériau à base de silicium dans les portions gravées du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)