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1. (WO2008121547) MÉCANISME DE CONNEXION DE COLONNE D'ACCÉLÉRATION D'IONS AVEC ÉLECTRODE DE BLINDAGE INTÉGRÉE, ET PROCÉDÉS PERTINENTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/121547    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/057317
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 18.03.2008
CIB :
H01J 37/24 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01), H01B 17/42 (2006.01), H01R 13/53 (2006.01), H01J 5/46 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US) (Tous Sauf US).
TEKLETSADIK, Kasegn, D. [ET/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : TEKLETSADIK, Kasegn, D.; (US)
Mandataire : CHOI, Changhoon; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc., 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US)
Données relatives à la priorité :
11/693,237 29.03.2007 US
Titre (EN) ION ACCELERATION COLUMN CONNECTION MECHANISM WITH INTEGRATED SHIELDING ELECTRODE AND RELATED METHODS
(FR) MÉCANISME DE CONNEXION DE COLONNE D'ACCÉLÉRATION D'IONS AVEC ÉLECTRODE DE BLINDAGE INTÉGRÉE, ET PROCÉDÉS PERTINENTS
Abrégé : front page image
(EN)Ion accelerating devices including connection mechanisms with integrated shielding electrode and related methods are disclosed. According to an embodiment, an ion accelerating device of an ion implantation system comprises: a first element (102); a first connection system (120) within the first element, the first connection system including a first connector (124) and a first encapsulated shielding electrode (128) around the first connector and a second connection system (122) within a second element (104) other than the first element, the second connection system being coupled to the first connector; wherein the first encapsulated shielding electrode includes a first shielding portion (132) adjacent to a first interface surface (134) of the first element where the second connection system interfaces with the first element, in a cross-sectional view, the first shielding portion being substantially U-shaped.
(FR)L'invention concerne des dispositifs accélérateurs d'ions comprenant des mécanismes de connexion ayant une électrode de blindage intégrée, et des procédés pertinents. Selon un mode de réalisation, un dispositif accélérateur d'ions d'un système d'implantation d'ions comprend : un premier élément; un premier système de connexion dans le premier élément, le premier système de connexion comprenant un premier connecteur et une première électrode de blindage encapsulée autour du premier connecteur; et un second système de connexion dans un second élément autre que le premier élément, le second système de connexion étant couplé au premier connecteur; la première électrode de blindage encapsulée comprenant une première partie de blindage adjacente à une première surface d'interface du premier élément où le second système de connexion interface avec le premier élément, dans une vue en coupe transversale, la première partie de blindage étant sensiblement en forme de U.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)