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1. (WO2008121463) PROCÉDÉ POUR FORMER DES FILMS DE NITRURE DE SILICIUM SOLLICITÉS, ET DISPOSITIF COMPRENANT DE TELS FILMS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/121463    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/055056
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 27.02.2008
CIB :
H01L 21/44 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower, 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo, 107-6325 (JP) (Tous Sauf US).
CLARK, Robert, D. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CLARK, Robert, D.; (US)
Mandataire : MAIER, Gregory, J.; Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C., 1940 Duke Street, Alexandria, VA 22314 (US)
Données relatives à la priorité :
11/730,288 30.03.2007 US
Titre (EN) METHOD FOR FORMING STRAINED SILICON NITRIDE FILMS AND A DEVICE CONTAINING SUCH FILMS
(FR) PROCÉDÉ POUR FORMER DES FILMS DE NITRURE DE SILICIUM SOLLICITÉS, ET DISPOSITIF COMPRENANT DE TELS FILMS
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming a strained SiN film and a semiconductor device containing the strained SiN film. The method includes exposing the substrate to a gas including a silicon precursor, exposing the substrate to a gas containing a nitrogen precursor activated by a plasma source at a first level of plasma power and configured to react with the silicon precursor with a first reactivity characteristic, and exposing the substrate to a gas containing the nitrogen precursor activated by the plasma source at a second level of plasma power different from the first level and configured to react with the silicon precursor with a second reactivity characteristic such that a property of the silicon nitride film formed on the substrate changes to provide the strained silicon nitride film.
(FR)L'invention concerne un procédé pour former un film de SiN sollicité, et un dispositif à semi-conducteur contenant le film de SiN sollicité. Le procédé comprend les étapes consistant à exposer le substrat à un gaz comprenant un précurseur de silicium, exposer le substrat à un gaz comprenant un précurseur d'azote activé par une source de plasma à un premier niveau de puissance de plasma, et configuré pour réagir avec le précurseur de silicium avec une première caractéristique de réactivité, et exposer le substrat à un gaz contenant le précurseur d'azote activé par la source de plasma à un second niveau de puissance de plasma différent du premier niveau, et configuré pour réagir avec le précurseur de silicium avec une seconde caractéristique de réactivité de telle sorte qu'une propriété de film de nitrure de silicium formé sur le substrat change, pour fournir le film de nitrure de silicium sollicité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)