WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008121383) TRANSISTOR À SEMI-CONDUCTEUR MONTÉ EN SPIRALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/121383    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/004162
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 31.03.2008
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION [US/US]; 1840 Century Park East, Los Angeles, CA 90067-2199 (US) (Tous Sauf US).
STORASKA, Garrett, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
HOWELL, Robert, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
NATHANSON, Harvey, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
HOPWOOD, Francis, William [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : STORASKA, Garrett, A.; (US).
HOWELL, Robert, S.; (US).
NATHANSON, Harvey, C.; (US).
HOPWOOD, Francis, William; (US)
Mandataire : WOODEN, Sean, S.; Andrews Kurth Llp, 1350 I Street, N.W., Suite 1100, Washington, DC 20005 (US)
Données relatives à la priorité :
11/727,955 29.03.2007 US
Titre (EN) CURLED SEMICONDUCTOR TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À SEMI-CONDUCTEUR MONTÉ EN SPIRALE
Abrégé : front page image
(EN)A curled transistor comprises a coiled semiconductor substrate having a plurality of concentrically curled layers. Source and drain regions are configured on a portion of the coiled semiconductor substrate, and a gate dielectric is positioned between the source and drain regions. A first set of metallic contacts electrically couple to the source region on the coiled semiconductor substrate and a second set of metallic contacts electrically couple to the drain region on the coiled semiconductor substrate.
(FR)L'invention concerne un transistor monté en spirale comprenant un substrat semi-conducteur bobiné ayant une pluralité de couches montées en spirale de manière concentrique. Des régions de source et de drain sont configurées sur une partie du substrat semi-conducteur bobiné, et un diélectrique de grille est positionné entre les régions de source et de drain. Un premier ensemble de contacts métalliques sont couplés électriquement à la région de source sur le substrat semi-conducteur bobiné, et un second ensemble de contacts métalliques sont couplés électriquement à la région de drain sur le substrat semi-conducteur bobiné.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)