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1. (WO2008121289) COMPOSANTS PLAQUÉS D'ALUMINIUM D'APPAREILS DE TRAITEMENT D'UN MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR ET LEURS PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/121289    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/003971
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 27.03.2008
CIB :
H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, California 94538 (US) (Tous Sauf US).
KENWORTHY, Ian J. [US/US]; (US) (US Seulement).
FONG, Kelly W. [US/US]; (US) (US Seulement).
SHARPLESS, Leonard J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KENWORTHY, Ian J.; (US).
FONG, Kelly W.; (US).
SHARPLESS, Leonard J.; (US)
Mandataire : SKIFF, Peter K.; Buchanan Ingersoll & Rooney PC, PO Box 1404, Alexandria, Virginia 22313-1404 (US)
Données relatives à la priorité :
11/730,049 29.03.2007 US
Titre (EN) ALUMINUM-PLATED COMPONENTS OF SEMICONDUCTOR MATERIAL PROCESSING APPARATUSES AND METHODS OF MANUFACTURING THE COMPONENTS
(FR) COMPOSANTS PLAQUÉS D'ALUMINIUM D'APPAREILS DE TRAITEMENT D'UN MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR ET LEURS PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Aluminum-plated components of semiconductor material processing apparatuses are disclosed. The components include a substrate and an optional intermediate layer formed on at least one surface of the substrate. The intermediate layer includes at least one surface. An aluminum plating is formed on the substrate, or on the optional intermediate layer. The surface on which the aluminum plating is formed is electrically-conductive. An anodized layer can optionally be formed on the aluminum plating. The aluminum plating or optional the anodized layer comprises a process-exposed surface of the component. Semiconductor material processing apparatuses including one or more aluminum-plated components, methods of processing substrates, and methods of making the aluminum-plated components are also disclosed.
(FR)L'invention porte sur des composants plaqués d'aluminium d'appareils de traitement d'un matériau semi-conducteur. Les composants comprennent un substrat et une couche intermédiaire optionnelle formée sur au moins une surface du substrat. La couche intermédiaire comprend au moins une surface. Un placage d'aluminium est formé sur le substrat ou sur la couche intermédiaire optionnelle. La surface sur laquelle est formé le placage d'aluminium, est électriquement conductrice. Une couche anodisée peut éventuellement être formée sur le placage d'aluminium. Le placage aluminium ou la couche anodisée optionnelle comprend une surface du composant exposée au processus. L'invention porte également sur des appareils de traitement du matériau semi-conducteur incluant un ou plusieurs composants plaqués d'aluminium, sur des procédés de traitement de substrats et sur des procédés de fabrication des composants plaqués d'aluminium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)