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1. (WO2008121262) STRUCTURES SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLATEUR À BASE DE VERRE-CÉRAMIQUE ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/121262    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/003859
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 24.03.2008
CIB :
H01L 21/762 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza, Corning, New York 14831 (US) (Tous Sauf US).
GADKAREE, Kishor P [US/US]; (US) (US Seulement).
PINCKNEY, Linda R [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GADKAREE, Kishor P; (US).
PINCKNEY, Linda R; (US)
Mandataire : SCHAEBERLE, Timothy M; Corning Incorporated, Intellectual Property Department, SP-TI-3-1, Corning, New York 14831 (US)
Données relatives à la priorité :
60/920,986 30.03.2007 US
Titre (EN) GLASS-CERAMIC-BASED SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR STRUCTURES AND METHOD FOR MAKING THE SAME
(FR) STRUCTURES SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLATEUR À BASE DE VERRE-CÉRAMIQUE ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a semiconductor-on-insulator structure including a semiconductor component comprised of substantially single-crystal semiconductor material layer and a single-crystal semiconductor material with an enhanced oxygen content layer; an oxide glass material layer; and a glass-ceramic layer.
(FR)La présente invention concerne une structure semi-conducteur sur isolateur qui comprend un composant semi-conducteur constitué d'une couche de matériau semi-conducteur sensiblement monocristallin et d'un matériau semi-conducteur monocristallin avec une couche à teneur accrue en oxygène ; une couche de matériau en verre d'oxydes ; et une couche verre-céramique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)