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1. (WO2008121137) FABRICATION DE MICROSTRUCTURES ET NANOSTRUCTURES UTILISANT UNE RÉSERVE DE GRAVURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/121137    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/025722
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 17.12.2007
CIB :
G03F 7/00 (2006.01), B82B 3/00 (2006.01)
Déposants : NORTHWESTERN UNIVERSITY [US/US]; 633 Clark Street, Evanston, IL 60208 (US) (Tous Sauf US).
MIRKIN, Chad, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
HUANG, Ling [US/US]; (US) (US Seulement).
SANEDRIN, Raymond [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MIRKIN, Chad, A.; (US).
HUANG, Ling; (US).
SANEDRIN, Raymond; (US)
Mandataire : RUTT, J., Steven; Foley & Lardner LLP, 3000 K Street, NW, Suite 500, Washington, DC 20007 (US)
Données relatives à la priorité :
60/875,447 18.12.2006 US
60/886,839 26.01.2007 US
Titre (EN) FABRICATION OF MICROSTRUCTURES AND NANOSTRUCTURES USING ETCHING RESIST
(FR) FABRICATION DE MICROSTRUCTURES ET NANOSTRUCTURES UTILISANT UNE RÉSERVE DE GRAVURE
Abrégé : front page image
(EN)Nanostructures and microstructures are formed by patterning methods such as Dip Pen Nanolithography (DPN) or microcontact printing of organic molecules functioning as a resist on a substrate followed by an etching step. The etch resist is a patterning composition and can contain on a substrate including polyethylene glycol (PEG). Positive and negative etch methods can be used.
(FR)La présente invention concerne des nanostructures et des microstructures qui sont formées par des procédés de modelage tels que la nanolithographie stylo à plume (DPN) ou l'impression par microcontact de molécules organiques fonctionnant en tant que réserve sur un substrat suivi d'une étape de gravure. La réserve de gravure est une composition de modelage et peut être contenue sur un substrat comportant du glycol de polyéthylène (PEG). Des procédés de gravure positive et négative peuvent être utilisés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)