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1. (WO2008120855) COMPOSITION DE MASQUE DUR POSSÉDANT UNE PROPRIÉTÉ ANTIRÉFLEXION ET PROCÉDÉ DE MODÉLISATION DE MATÉRIAUX AU MOYEN DE CETTE COMPOSITION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/120855    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/007058
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 31.12.2007
CIB :
C08G 61/12 (2006.01)
Déposants : CHEIL INDUSTRIES INC. [KR/KR]; 290, Gongdan 2-dong Gumi-si, Gyeongsangbuk-do, Gumi-si 730-710 (KR) (Tous Sauf US).
KIM, Min Soo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
UH, Dong Seon [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
OH, Chang Il [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YOON, Kyong Ho [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
HYUNG, Kyung Hee [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Jin Kuk [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Jong Seob [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
CHEON, Hwan Sung [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
NAM, Irina [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
TOKAREVA, Nataliya [RU/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : KIM, Min Soo; (KR).
UH, Dong Seon; (KR).
OH, Chang Il; (KR).
YOON, Kyong Ho; (KR).
HYUNG, Kyung Hee; (KR).
LEE, Jin Kuk; (KR).
KIM, Jong Seob; (KR).
CHEON, Hwan Sung; (KR).
NAM, Irina; (KR).
TOKAREVA, Nataliya; (KR)
Mandataire : PARK, Yong Soon; 6F., Ilheung Bldg.,, 1490-25, Seocho-dong, Seocho-gu, Seoul 137-070 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2007-0032591 02.04.2007 KR
10-2007-0051074 25.05.2007 KR
10-2007-0055241 05.06.2007 KR
Titre (EN) HARDMASK COMPOSITION HAVING ANTIREFLECTIVE PROPERTY AND METHOD OF PATTERNING MATERIALS USING THE SAME
(FR) COMPOSITION DE MASQUE DUR POSSÉDANT UNE PROPRIÉTÉ ANTIRÉFLEXION ET PROCÉDÉ DE MODÉLISATION DE MATÉRIAUX AU MOYEN DE CETTE COMPOSITION
Abrégé : front page image
(EN)A hardmask composition having antireflective properties is provided. The hardmask composition is suitable for lithography, provides excellent optical and mechanical properties, and exhibits high etch selectivity. In addition, the hardmask composition can be readily applied by spin-on application techniques. Advantageously, the hardmask composition is useful for short- wavelength lithography and has a minimum residual acid content.
(FR)L'invention concerne une composition de masque dur possédant des propriétés de réflexion. Cette composition de masque dur convient pour la lithographie, offre d'excellentes propriétés optiques et mécaniques et présente une sélectivité d'attaque élevée. Par ailleurs, cette composition de masque dur peut être appliquée immédiatement par des techniques de dépôt par rotation. Cette composition de masque dur convient avantageusement pour une lithographie ondes courtes et possède un contenu acide résiduel minimum.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)