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1. (WO2008120469) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR DE CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/120469    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/000769
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 27.03.2008
CIB :
H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
TAKAHASHI, Kunimasa; (US Seulement).
KUDOU, Chiaki; (US Seulement)
Inventeurs : TAKAHASHI, Kunimasa; .
KUDOU, Chiaki;
Mandataire : OKUDA, Seiji; OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg., 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-087346 29.03.2007 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element includes a step (A) wherein impurity ions (3) are implanted into at least a part of a silicon carbide layer (2) which is formed on a first main surface of a silicon carbide substrate (1) having first and second main surfaces, and an impurity doped region is formed; a step (B) wherein a heat resistant cap layer (6) is formed at least on an upper surface (2a) of the silicon carbide layer (2) and at least on a second main surface (12a) of the silicon carbide substrate (1); and a step (C) wherein the silicon carbide layer (2) is heated at a prescribed temperature and activating annealing is performed.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de fabriquer un élément semi-conducteur de carbure de silicium, comprenant une étape (A) dans laquelle des ions d'impuretés (3) sont implantés dans au moins une partie d'une couche de carbure de silicium (2) qui est formée sur une première surface principale d'un substrat de carbure de silicium (1) ayant des première et seconde surfaces principales, et dans laquelle une région additionnée d'impuretés est formée ; une étape (B) dans laquelle une couche de surface résistante à la chaleur (6) est formée au moins sur une surface supérieure (2a) de la couche de carbure de silicium (2) et au moins sur uneseconde surface principale (12a) du substrat de carbure de silicium (1) ; et une étape (C) dans laquelle la couche de carbure de silicium (2) est chauffée à une température prescrite et un recuit de dopage est effectué.
(JA) 第1および第2の主面を有する炭化珪素基板1の前記第1の主面上に形成された炭化珪素層2の少なくとも一部に不純物イオン3を注入し、不純物ドープ領域を形成する工程(A)と、前記炭化珪素層2の少なくとも上面2a、および、前記炭化珪素基板1の少なくとも第2の主面12aに耐熱性を有するキャップ層6を形成する工程(B)と、前記炭化珪素層2を所定の温度で加熱し、活性化アニール処理を行う工程(C)とを包含する炭化珪素半導体素子の製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)