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1. (WO2008120459) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/120459    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/000645
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 19.03.2008
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
HIROSHIMA, Mitsuru; (US Seulement).
ASAKURA, Hiromi; (US Seulement)
Inventeurs : HIROSHIMA, Mitsuru; .
ASAKURA, Hiromi;
Mandataire : TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS IMP Building 3-7, Shiromi 1-come Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5400001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-074500 22.03.2007 JP
2007-083636 28.03.2007 JP
2007-091735 30.03.2007 JP
2007-091741 30.03.2007 JP
Titre (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Abrégé : front page image
(EN)A plasma process device comprises a beam-shaped spacer (7) disposed in the upper opening of a chamber (3) opposed to a substrate (2) and supporting a dielectric plate (8). The dielectric plate (8) is supported by the beam-shaped spacer (7). The beam-shaped spacer (7) has process gas introducing orifices (31, 36) facing to the substrate (2) and inclined at a depression angle ϑd and rare gas introducing orifices (41) facing to the dielectric plate (8) and inclined at an elevation angle ϑe. In a high-pressure high-power process, the processing rate such as the etching rate is improved and the wear of the dielectric plate (8) is effectively reduced.
(FR)Un dispositif de traitement au plasma comprend un espaceur en forme de faisceau (7) disposé dans l'ouverture supérieure d'une chambre (3) opposée à un substrat (2) et supportant une plaque diélectrique (8). La plaque diélectrique (8) est supportée par l'espaceur en forme de faisceau (7). L'espaceur en forme de faisceau (7) a des orifices d'introduction de gaz de traitement (31, 36) opposés au substrat (2) et inclinés à un angle de dépression ϑd et des orifices d'introduction de gaz rare (41) opposés à la plaque diélectrique (8) et inclinés à un angle d'élévation ϑe. Dans un procédé haute pression haute température, la vitesse de traitement telle que la vitesse de gravure est améliorée et l'usure de la plaque diélectrique (8) est efficacement réduite.
(JA) プラズマ処理装置は、基板2と対向するチャンバ3の上部開口に配置されて誘電体板8を支持する梁状スペーサ7を備える。梁状スペーサ7により誘電体板8が支持されている。梁状スペーサ7には下向きに設けられた、基板2に向いた俯角θdを有する複数のプロセスガス導入口31,36と、誘電体板8に向いた仰角θeを有する複数の希ガス導入口41とが設けられている。高圧かつ高パワーのプロセスにおいて、エッチングレート等の処理速度の向上と、誘電体板8の摩耗の効果的な抑制を実現できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)