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1. (WO2008120378) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/120378    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/056940
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 29.03.2007
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/8244 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 27/11 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630722 (JP) (Tous Sauf US).
TANABE, Ryou [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TANABE, Ryou; (JP)
Mandataire : KOKUBUN, Takayoshi; 5th Floor, NBF Ikebukuro City Building 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)In a second direction, an n-channel MOS transistor and an expanding film (11) are adjacent to each other in a planar view. For this, the n-channel MOS transistor receives a positive stress from the expanding film (11) in a direction to expand its channel length. As a result, positive distortion is caused in an electron moving direction in the n-channel MOS transistor. Meanwhile, in the second direction, a p-channel MOS transistor and the expanding film (11) are shifted to each other. For this, the p-channel MOS transistor receives a positive stress in a direction to narrow a channel length from the expanding film (11). As a result, a positive compressing distortion is caused in a hole moving direction. Thus, both turned-on electric currents of the n-channel MOS transistor and the p-channel MOS transistor can be improved.
(FR)Dans une seconde direction, un transistor MOS à canal N et un film extensible (11) sont adjacents l'un par rapport à l'autre sur une vue planaire. Pour cette raison, le transistor MOS à canal N reçoit une contrainte positive du film extensible (11) dans une direction de manière à étendre la longueur de son canal. En conséquence, une distorsion positive est causée dans la direction de déplacement des électrons dans le transistor MOS à canal N. Pendant ce temps, dans la seconde direction, un transistor MOS à canal P et le film extensible (11) dont décalés l'un par rapport à l'autre. Pour cette raison, le transistor MOS à canal P reçoit une contrainte positive dans une direction de manière à restreindre la longueur de canal à partir du film extensible (11). En conséquence, une distorsion de compression positive est causée dans la direction de déplacement d'un trou. Ainsi, les deux courants électriques activés du transistor MOS à canal N et du transistor MOS à canal P peuvent être améliorés.
(JA) 第2の方向において、平面視で、nチャネルMOSトランジスタと膨張膜(11)とが隣り合っている。このため、nチャネルMOSトランジスタは膨張膜(11)からチャネル長が広げられる方向への正の応力を受ける。この結果、nチャネルMOSトランジスタのチャネルには、電子の移動方向への正の引張歪が生じる。一方、第2の方向において、平面視で、pチャネルMOSトランジスタと膨張膜(11)とは互いからずれている。このため、pチャネルMOSトランジスタは膨張膜(11)からチャネル長が狭められる方向への正の応力を受ける。この結果、pチャネルMOSトランジスタのチャネルには、正孔の移動方向への正の圧縮歪が生じる。従って、nチャネルMOSトランジスタ及びpチャネルMOSトランジスタの双方のオン電流を向上することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)