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1. (WO2008120369) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/120369    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/056921
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 29.03.2007
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630722 (JP) (Tous Sauf US).
KUDO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ORYOJI, Michio [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KUDO, Hiroshi; (JP).
ORYOJI, Michio; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-chome Shibuya-ku, Tokyo 1506032 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device having a first interlayer insulating film and a second interlayer insulating film comprising a carbon-containing inorganic insulating film (23) which is formed on the first interlayer insulating film and contains Si, O, C and H as the fundamental constituents, wherein the first interlayer insulating film has a hydrocarbon-type organic insulating film (22), which contains C, H and O as the fundamental constituents, at the interface with the second interlayer insulating film.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur ayant un premier film isolant intercouche et un second film isolant intercouche comprenant un film isolant inorganique contenant du carbone (23) qui est formé sur le premier film isolant intercouche et contient du Si, O, C et H en tant que constituants fondamentaux, le premier film isolant intercouche ayant un film isolant organique de type hydrocarbure (22), qui contient C, H et O en tant que constituants fondamentaux, à l'interface avec le second film isolant intercouche.
(JA) 半導体装置は、第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜上に形成されたSi,O,C,Hを基本構造として含む炭素含有無機絶縁膜(23)で構成される第2の層間絶縁膜と、を有し、前記第1の層間絶縁膜は、前記第2の層間絶縁膜との界面に、C,H,Oを基本構造として含む炭化水素系の有機絶縁膜(22)を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)