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1. (WO2008120286) UNITÉ DE STOCKAGE SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE RÉSINE DE CONDITIONNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/120286    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/053666
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 27.02.2007
CIB :
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/56 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
Déposants : FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku Tokyo 1630722 (JP) (Tous Sauf US).
NAGAI, Kouichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAGAI, Kouichi; (JP)
Mandataire : MATSUKURA, Hidemi; Acropolis 21 Building 6th floor 4-10, Higashi Nihonbashi 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030004 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE UNIT, PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF FORMING PACKAGE RESIN
(FR) UNITÉ DE STOCKAGE SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE RÉSINE DE CONDITIONNEMENT
(JA) 半導体記憶装置、半導体記憶装置の製造方法、およびパッケージ樹脂形成方法
Abrégé : front page image
(EN)A ferroelectric capacitor comprising a transistor layer superimposed on a semiconductor substrate, a ferroelectric capacitor layer provided superior to the transistor layer, a wiring layer provided superior to the ferroelectric capacitor layer, and a passivation film. Further, at least one layer of barrier film capable of inhibiting penetration of moisture and hydrogen into the underlayer is provided between the ferroelectric capacitor layer and the passivation film, and the passivation film is characterized by containing a novolac resin.
(FR)L'invention concerne un condensateur ferroélectrique comprenant une couche de transistor superposée sur un substrat semi-conducteur, une couche de condensateur ferroélectrique disposée au-dessus de la couche de transistor, une couche de câblage disposée au-dessus de la couche de condensateur ferroélectrique et un film de passivation. En outre, au moins une couche de film barrière capable d'inhiber la pénétration de l'humidité et de l'hydrogène dans la sous-couche est disposée entre la couche de condensateur ferroélectrique et le film de passivation, et le film de passivation est caractérisé par le fait qu'il contient une résine novolaque.
(JA)半導体基板上に形成されたトランジスタ層と、トランジスタ層の上方に形成された強誘電体キャパシタ層と、強誘電体キャパシタ層の上方に形成された配線層と、パシベーション膜と、を備える強誘電体キャパシタである。さらに、強誘電体キャパシタ層とパシベーション膜との間に、水分および水素の下層への透過を抑制するバリア膜が少なくとも1層形成され、パシベーション膜はノボラック樹脂を含むことを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)