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1. (WO2008120094) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE AVEC CONTACT OHMIQUE OPTIMISÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/120094    N° de la demande internationale :    PCT/IB2008/000788
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 25.03.2008
CIB :
H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/45 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Déposants : PICOGIGA INTERNATIONAL [FR/FR]; Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
LAHRECHE, Hacène [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : LAHRECHE, Hacène; (FR)
Mandataire : SOITEC; Huyghe, Emmnauel, Chemin des Franques, Parc Technologique des Fontaines, Bernin, Cedex, F-38926 Crolles (FR)
Données relatives à la priorité :
0754186 30.03.2007 FR
Titre (EN) ELECTRONIC DEVICE WITH IMPROVED OHMIC CONTACT
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE AVEC CONTACT OHMIQUE OPTIMISÉ
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to an electronic device successively comprising from its base to its surface: - a support layer (1), - a channel layer (3) to contain an electron gas, - a barrier layer (4) - at least one ohmic contact electrode (5) formed by a superposition of metallic layers a first layer of which is in contact with the barrier layer (4). The device is remarkable in that the barrier layer (4) presents a region called contact region (10), under the ohmic contact electrode(s) (5), which region comprises at least one metal selected from the metals forming said superposition of metallic layers, and in that a local alloying (12) binds the contact region (10) and the first layer of the electrode (5).
(FR)La présente invention concerne un dispositif électronique qui comprend successivement de sa base à sa surface : - une couche de support (1), - une couche de canal (3) pour contenir un gaz électronique, - une couche de barrière (4), - au moins une électrode de contact ohmique (5) formée par une superposition de couches métalliques dont une première couche est en contact avec la couche de barrière (4). Le dispositif est remarquable en ce que la couche de barrière (4) présente une région appelée région de contact (10), sous l'électrode ou les électrodes de contact ohmique(s) (5), laquelle région comprend au moins un métal sélectionné par les métaux qui forment ladite superposition de couches métalliques, et en ce qu'un alliage local (12) lie la région de contact (10) et la première couche de l'électrode (5).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)