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1. (WO2008119206) REDRESSEUR RÉSISTANT À UNE TENSION ÉLEVÉE, DOTÉ DE TRANSISTORS CMOS STANDARD
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/119206    N° de la demande internationale :    PCT/CN2007/001057
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 02.04.2007
CIB :
H02M 7/219 (2006.01), H01L 27/02 (2006.01)
Déposants : SHANG HAI KILOPASS MICROELECTRONICS INC. [CN/CN]; Room 305, Building No.1 563 Songtao Road Zhang Jiang High-Tech Zone Shanghai 201203 (CN) (Tous Sauf US).
WANG, Jianming [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
CAO, Yusheng [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
MAO, Junhua [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WU, Xiangdong [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : WANG, Jianming; (CN).
CAO, Yusheng; (CN).
MAO, Junhua; (CN).
WU, Xiangdong; (CN)
Mandataire : DING & ASSOCIATES PATENT TRADEMARK & LAW; 2/F, 201 Keyuan Road Zhang Jiang High-Tech Zone Shanghai 201203 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) A HIGH-VOLTAGE-RESISTANT RECTIFIER WITH STANDARD CMOS TRANSISTORS
(FR) REDRESSEUR RÉSISTANT À UNE TENSION ÉLEVÉE, DOTÉ DE TRANSISTORS CMOS STANDARD
(ZH) 采用标准CMOS晶体管实现高耐压的整流器
Abrégé : front page image
(EN)A high-voltage-resistant full-wave bridge rectifier with standard CMOS transistors includes four MOS transistors (103,104,105,106). Additional transistors (107,108) are connected in series between the transistor about to undergo high voltage and the input of the rectifier, so as to reduce the voltage at the gate of the transistor. Meanwhile, the voltage across the gate and the source is divided by means of connecting additional transistors (109,110) in series, thereby high-voltage-resistant rectifier is accomplished with standard low-voltage transistors while not adding additional processing complexity, further lowering the cost of manufacture and processing.
(FR)Redresseur à deux alternances en pont, résistant à une tension élevée, pourvu de transistors CMOS standard et comprenant quatre transistors MOS (103,104,105,106). Des transistors supplémentaires (107, 108) sont connectés en série entre le transistor qui est sur le point de subir une tension élevée et l'entrée du redresseur, de manière à réduire la tension au niveau de la grille du transistor. Parallèlement, la tension à travers la grille et la source est divisée par le biais de la connexion en série de transistors supplémentaires (109, 110), ce qui permet d'obtenir un redresseur résistant à une tension élevée avec des transistors basse tension standard, tandis qu'est évitée la complexification supplémentaire du traitement et que les coûts de fabrication et de traitement sont abaissés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)