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1. (WO2008119066) BRUCELLES OPTOÉLECTRONIQUES À CHAMP LATÉRAL SIMPLE FACE ET À BASE DE PHOTOTRANSISTOR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/119066    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/058701
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 28.03.2008
CIB :
G01N 21/01 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor, Oakland, CA 94607-5200 (US) (Tous Sauf US).
OHTA, Aaron [US/US]; (US) (US Seulement).
CHIOU, Pei-Yu [--/US]; (US) (US Seulement).
HSU, Hsan-Yin [--/US]; (US) (US Seulement).
JAMSHIDI, Arash [US/US]; (US) (US Seulement).
WU, Ming-Chiang [US/US]; (US) (US Seulement).
NEALE, Steven, L. [GB/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : OHTA, Aaron; (US).
CHIOU, Pei-Yu; (US).
HSU, Hsan-Yin; (US).
JAMSHIDI, Arash; (US).
WU, Ming-Chiang; (US).
NEALE, Steven, L.; (US)
Mandataire : O'BANION, John, P.; O'Banion & Ritchey LLP, 400 Capitol Mall, Suite 1550, Sacramento, CA 95814 (US)
Données relatives à la priorité :
60/908,452 28.03.2007 US
60/909,845 03.04.2007 US
60/943,103 11.06.2007 US
Titre (EN) SINGLE-SIDED LATERAL-FIELD AND PHOTOTRANSISTOR-BASED OPTOELECTRONIC TWEEZERS
(FR) BRUCELLES OPTOÉLECTRONIQUES À CHAMP LATÉRAL SIMPLE FACE ET À BASE DE PHOTOTRANSISTOR
Abrégé : front page image
(EN)Described herein are single-sided lateral-field optoelectronic tweezers (LOET) devices which use photosensitive electrode arrays to create optically-induced dielectrophoretic forces in an electric field that is parallel to the plane of the device. In addition, phototransistor-based optoelectronic tweezers (PhOET) devices are described that allow for optoelectronic tweezers (OET) operation in high-conductivity physiological buffer and cell culture media.
(FR)L'invention concerne des brucelles optoélectroniques à champ latéral simple face (LOET) qui utilisent des réseaux d'électrodes photosensibles pour créer des forces diélectrophorétiques optiquement induites dans un champ électrique parallèle au plan du dispositif. En outre, des dispositifs de brucelles optoélectroniques à base de phototransistor (PhOET) sont décrits, permettant un fonctionnement de brucelles optoélectroniques (OET) dans un tampon physiologique et des milieux de culture de cellules de haute conductivité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)