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1. (WO2008118912) CONCEPTION POUR PARTICULARITÉ D'ESSAI POUR AMÉLIORER LE RENDEMENT DE RÉTENTION DE CHARGE D'UNE DRAM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/118912    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/058143
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 25.03.2008
CIB :
G11C 11/401 (2006.01), G11C 11/402 (2006.01), G11C 11/403 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, California 95052 (US) (Tous Sauf US).
JAZAYERI, Reza [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JAZAYERI, Reza; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester J.; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman, 1279 Oakmead Parkway, Sunnyvale, California 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
11/729,056 28.03.2007 US
Titre (EN) DESIGN FOR TEST FEATURE TO IMPROVE DRAM CHARGE RETENTION YIELD
(FR) CONCEPTION POUR PARTICULARITÉ D'ESSAI POUR AMÉLIORER LE RENDEMENT DE RÉTENTION DE CHARGE D'UNE DRAM
Abrégé : front page image
(EN)In some embodiments, a design for test feature to improve DRAM charge retention yield is presented. In this regard, an apparatus is introduced comprising a first integrated circuit die, and a second integrated circuit die stacked together in a package, wherein the second integrated circuit die comprises a dynamic random access memory (DRAM) and circuitry to increase a refresh rate provided by a self refresh timer by a predetermined percentage. Other embodiments are also disclosed and claimed.
(FR)L'invention concerne, dans certains modes de réalisation, une conception pour une particularité d'essai pour améliorer un rendement de rétention de charge d'une DRAM. A cet égard, un appareil est introduit, comprenant une première puce de circuit intégré, et une seconde puce de circuit intégré empilées ensemble dans un boîtier, la seconde puce de circuit intégré comprenant une mémoire vive dynamique (DRAM) et des circuits pour augmenter une vitesse de rafraîchissement fournie par une minuterie d'auto-rafraîchissement d'un pourcentage prédéterminé. D'autres modes de réalisation sont également révélés et revendiqués.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)