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1. (WO2008118840) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CONTACTS EN SILICIURE DE MÉTAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/118840    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/057991
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 24.03.2008
CIB :
H01L 29/66 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US) (Tous Sauf US).
OBENG, Yaw, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
DELOACH, Juanita [US/US]; (US) (US Seulement).
MEHRAD, Freidoon [IR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : OBENG, Yaw, S.; (US).
DELOACH, Juanita; (US).
MEHRAD, Freidoon; (US)
Mandataire : FRANZ, Warren, L.; Texas Instruments Incorporated, Deputy General Patent Counsel, P.O. Box 655474, Ms 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
11/690,643 23.03.2007 US
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING METAL SILICIDE CONTACTS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CONTACTS EN SILICIURE DE MÉTAL
Abrégé : front page image
(EN)A method of manufacturing a semiconductor device, comprising forming a metal suicide gate electrode on a semiconductor substrate surface (105). The method also comprises exposing the metal suicide gate electrode and the substrate surface to a cleaning process (120). The cleaning process includes a dry plasma etch (125) using an anhydrous fluoride-containing feed gas and a thermal sublimation (130) configured to leave the metal suicide gate electrode substantially unaltered. The method also comprises depositing a metal layer on source and drain regions of the substrate surface (150) and annealing the metal layer and the source and drain regions of the substrate surface (160) to form metal suicide source and drain contacts.
(FR)Cette invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant la formation d'une électrode grille à siliciure de métal sur la surface d'un substrat semi-conducteur (105). Le procédé comprend également l'exposition de l'électrode grille à siliciure de métal et la surface du substrat à un processus de nettoyage (120). Le processus de nettoyage comprend une étape de gravure par plasma sec (125) utilisant un gaz à fluorure anhydre et une étape de sublimation thermique (130) configurées pour laisser l'électrode grille à siliciure de métal sensiblement indemne. Le procédé comprend également le dépôt d'une couche métallique sur la source et les zones de drainage de la surface du substrat (150) et le recuit de la couche métallique, de la source et des zones de drainage de la surface du substrat (160) pour former des contacts de source et de drainage à siliciure de métal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)