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1. (WO2008118729) STRUCTURE ET PROCÉDÉ POUR INTERFACES SICOH PRÉSENTANT UNE RÉSISTANCE MÉCANIQUE ACCRUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/118729    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/057600
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 20.03.2008
CIB :
H01L 21/4763 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
EDELSTEIN, Daniel, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
DEMOS, Alexandros [US/US]; (US) (US Seulement).
GATES, Stephen, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
GRILL, Alfred [US/US]; (US) (US Seulement).
MOLIS, Steven, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
NGUYEN, Vu Ngoc, Tran [US/US]; (US) (US Seulement).
REITER, Steven [US/US]; (US) (US Seulement).
RESTAINO, Darryl, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
YIM, Kang, Sub [KR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : EDELSTEIN, Daniel, C.; (US).
DEMOS, Alexandros; (US).
GATES, Stephen, M.; (US).
GRILL, Alfred; (US).
MOLIS, Steven, E.; (US).
NGUYEN, Vu Ngoc, Tran; (US).
REITER, Steven; (US).
RESTAINO, Darryl, D.; (US).
YIM, Kang, Sub; (US)
Mandataire : CAI, Yuanmin; International Business Machines Corporation 2070 Route 52 M/D 482 Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Données relatives à la priorité :
11/690,248 23.03.2007 US
Titre (EN) STRUCTURE AND METHOD FOR SICOH INTERFACES WITH INCREASED MECHANICAL STRENGTH
(FR) STRUCTURE ET PROCÉDÉ POUR INTERFACES SICOH PRÉSENTANT UNE RÉSISTANCE MÉCANIQUE ACCRUE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a structure and method for forming a structure including a SiCOH layer having increased mechanical strength. The structure includes a substrate having a layer of dielectric or conductive material, a layer of oxide on the layer of dielectric or conductive material, the oxide layer having essentially no carbon, a graded transition layer on the oxide layer, the graded transition layer having essentially no carbon at the interface with the oxide layer and gradually increasing carbon towards a porous SiCOH layer, and a porous SiCOH (pSiCOH) layer on the graded transition layer, the porous pSiCOH layer having an homogeneous composition throughout the layer. The method includes a process wherein in the graded transition layer, there are no peaks in the carbon concentration and no dips in the oxygen concentration.
(FR)L'invention concerne une structure et un procédé pour former une structure qui comprend une couche SiCOH qui présente une résistance mécanique accrue. La structure comprend un substrat qui comporte une couche de matériau diélectrique ou conducteur, une couche d'oxyde sur la couche de matériau diélectrique ou conducteur, la couche d'oxyde ne comportant sensiblement pas de carbone, une couche de transition calibrée, la couche de transition calibrée ne comportant sensiblement pas de carbone à l'interface avec la couche d'oxyde et augmentant graduellement sa teneur en carbone vers une couche SiCOH poreuse, et une couche SiCOH poreuse (pSiCOH) sur la couche de transition calibrée, la couche pSiCOH poreuse ayant une composition homogène dans l'ensemble de la couche. Le procédé comprend un procédé selon lequel aucun pic de la concentration de carbone et aucune baisse de la concentration d'oxygène ne sont observés dans la couche de transition calibrée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)