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1. (WO2008118535) PIXEL DE MICROBOLOMÈTRE SUPPORTÉ PAR MONTANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/118535    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/052744
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 01.02.2008
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : BAE SYSTEMS INFORMATION AND ELECTRONIC SYSTEMS INTEGRATION INC. [US/US]; P.O. Box 868, NHQ1-719, Nashua, NH 03061-0868 (US) (Tous Sauf US).
BLACKWELL, Richard, J., Jr. [US/US]; (US) (US Seulement).
GENECZKO, Jeannie [US/US]; (US) (US Seulement).
BACH, Tuyet [US/US]; (US) (US Seulement).
O'DONNELL, Daniel, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BLACKWELL, Richard, J., Jr.; (US).
GENECZKO, Jeannie; (US).
BACH, Tuyet; (US).
O'DONNELL, Daniel, J.; (US)
Mandataire : RARDIN, David, A.; Vern Maine & Associates, PO Box 3445, Nashua, NH 03061-3445 (US)
Données relatives à la priorité :
60/899,565 05.02.2007 US
Titre (EN) POST-SUPPORTED MICROBOLOMETER PIXEL
(FR) PIXEL DE MICROBOLOMÈTRE SUPPORTÉ PAR MONTANT
Abrégé : front page image
(EN)A post-supported bolometer pixel and a process for manufacturing it comprising the steps of depositing a sacrificial layer over a substrate with readout integrated circuit pads that connect to the integrated circuit; forming vias through the sacrificial layer to the metal pads connecting to the readout integrated circuit; filling the vias with metal and polishing said metal to the surface of the sacrificial layer; forming microbolometer pixel layers over the filled vias and sacrificial layer; and removing the sacrificial layer to leave a post-supported pixel.
(FR)L'invention concerne un pixel de bolomètre supporté par montant et son procédé de fabrication. Le procédé comporte les étapes suivantes : dépôt d'une couche sacrificielle sur un substrat avec plots de circuit intégré de lecture se connectant au circuit intégré ; formation de trous d'interconnexion entre la couche sacrificielle et les plots en métal pour connexion au circuit intégré de lecture ; remplissage des trous d'interconnexion avec un métal et polissage dudit métal à la surface de la couche sacrificielle ; formation de couche de pixel de microbolomètre sur les trous d'interconnexion remplis et la couche sacrificielle ; et enlèvement de la couche sacrificielle pour laisser un pixel supporté par montant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)