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1. (WO2008118506) MÉTHODE ET SYSTÈME D'ÉLABORATION D'UNE CELLULE DE MÉMOIRE NON VOLATILE À CONTENU ADRESSABLE À L'AIDE D'UN ÉLÉMENT FLOTOX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/118506    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/050327
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 05.01.2008
CIB :
G11C 15/00 (2006.01)
Déposants : ATMEL CORPORATION [US/US]; 2325 Orchard Parkway, San Jose, CA 95131 (US) (Tous Sauf US).
SFARTI, Adrian [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SFARTI, Adrian; (US)
Mandataire : SAWYER, Joseph, A., Jr.; Sawyer Law Group LLP, Attn: Foreign Department, 2465 E. Bayshore Road, suite No. 406, Palo Alto, CA 94303 (US)
Données relatives à la priorité :
11/013,039 05.01.2007 US
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING A NONVOLATILE CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING A SINGLE FLOTOX ELEMENT
(FR) MÉTHODE ET SYSTÈME D'ÉLABORATION D'UNE CELLULE DE MÉMOIRE NON VOLATILE À CONTENU ADRESSABLE À L'AIDE D'UN ÉLÉMENT FLOTOX
Abrégé : front page image
(EN)A method and system for providing a content addressable memory cell (CAM) as well as the CAM are disclosed. In one aspect, the method and system include providing a plurality of memory cells, at least one search line and at least one match line. Each of the CAM cells includes a FLOating gate Tunnel OXide (FLOTOX) element. The FLOTOX element includes a single floating gate transistor and a high voltage select transistor and can store at least a portion of a data word. Each CAM cell also preferably includes at least one low voltage transistor capable of comparing the portion of data word stored in the FLOTOX element with the portion of searched word. The search line(s) provide search word(s). The comparator(s) are connected with the search line(s) and the memory cells.
(FR)L'invention porte sur une méthode et un système d'élaboration d'une cellule de mémoire à contenu adressable (CAM), et sur la CAM elle-même. Dans un aspect, la méthode et le système incluent plusieurs cellules de mémoire, au moins une ligne de recherche et au moins une ligne de concordance. Chacune des cellules de CAM comporte un élément FLOTOX (oxyde de tunnel/grille flottante) comprenant un seul transistor de grille flottante et un transistor de sélection haute tension et peut stocker au moins une partie de mot de données. Chaque cellule CAM comporte également de préférence au moins un transistor basse tension servant à comparer la partie de mot de données stocké dans l'élément FLOTOX avec la partie de mot recherché. La ou les ligne (s) de recherche fournissent les mot (s) recherchés. Le comparateur est connecté à la ou aux ligne (s) de recherche et aux cellules de mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)