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1. (WO2008118462) PARASURTENSEUR À DEUX ÉTAGES POUR ÉMETTEUR-RÉCEPTEUR MULTICOMMUTATEUR À FIL UNIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/118462    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/003952
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 26.03.2008
CIB :
H01Q 1/50 (2006.01)
Déposants : THOMSON LICENSING [FR/FR]; 46, Quai A. Le Gallo, F-92100 Boulogne-billancourt (FR) (Tous Sauf US).
XIU, Lincheng [CN/US]; (US) (US Seulement).
FITZPATRICK, John, James [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : XIU, Lincheng; (US).
FITZPATRICK, John, James; (US)
Mandataire : LAKS, Joseph, J.; Thomson Licensing LLC, Two Independence Way, Suite #200, Princeton, New Jersey 08540 (US)
Données relatives à la priorité :
60/920,055 26.03.2007 US
Titre (EN) TWO STAGE SURGE PROTECTOR FOR SINGLE WIRE MULTI SWITCH TRANSCEIVER
(FR) PARASURTENSEUR À DEUX ÉTAGES POUR ÉMETTEUR-RÉCEPTEUR MULTICOMMUTATEUR À FIL UNIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An architecture for protecting circuitry used for signal communications between a frequency translation module (20) and a decoder (60) from transient voltage surges. According to an exemplary embodiment, the apparatus comprises a first signal path between a transmission line and a first reference potential, comprising a high impedance negative surge path; and a second signal path between the transmission line and the first reference potential, comprising a high impedance positive surge path, a low inductance surge path and a DC blocker circuit, wherein said high impedance positive surge path is configured in series with said low inductance surge path and said DC blocker circuit, wherein each of said low inductance surge path and said DC blocker circuit are coupled between said high impedance positive surge path and said source of reference potential.
(FR)L'invention concerne une architecture pour protéger des circuits utilisée pour des communications de signaux entre un module de traduction de fréquence (20) et un décodeur (60) vis-à-vis de surtensions transitoires. Selon un exemple de mode de réalisation, l'appareil comprend un premier chemin de signal entre une ligne de transmission et un premier potentiel de référence, comprenant un chemin de surtension négative de haute impédance; et un second chemin de signal entre la ligne de transmission et le premier potentiel de référence, comprenant un chemin de surtension positive de haute impédance, un chemin de surtension de faible inductance et un circuit bloqueur à courant continu, où ledit chemin de surtension positive de haute impédance est configuré en série avec ledit chemin de surtension de faible impédance dans ledit circuit bloqueur à courant continu, où chacun dudit chemin de surtension de faible inductance et dudit circuit bloqueur à courant continu est couplé entre ledit chemin de surtension positive de haute impédance et ladite source de potentiel de référence.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)