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1. (WO2008118452) SOURCE D'ÉLECTRONS POUR NANOTUBE EN CARBONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/118452    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/003933
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 25.03.2008
CIB :
H01J 9/02 (2006.01)
Déposants : ELORET CORPORATION [US/US]; 465 South Mathilda Avenue, Suite 103, Sunnyvale, CA 94086 (US) (Tous Sauf US).
NGUYEN, Cattien, V. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NGUYEN, Cattien, V.; (US)
Mandataire : FAILING, Bryan, M.; Murabito, Hao And Barnes Llp, Two North Market Street, Third Floor, San Jose, CA 95113 (US)
Données relatives à la priorité :
11/729,124 27.03.2007 US
Titre (EN) CARBON NANOTUBE ELECTRON SOURCE
(FR) SOURCE D'ÉLECTRONS POUR NANOTUBE EN CARBONE
Abrégé : front page image
(EN)A method of producing an electron source, a carbon nanotube (CNT) electron source, and a method of field emission using an electron source are disclosed. Embodiments provide convenient and effective mechanisms for improving thermal and mechanical performance of CNT electron sources, in one example, by heating a polymer-based matrix (e.g., PDMS) beyond its curing point until the polymer decomposes to form a cross linked and rigid matrix comprising silicon dioxide (SiO2). Additionally, embodiments provide convenient, effective and cost-efficient mechanisms for producing large-scale electron sources with controlled and nearly uniform CNT densities by spin coating a CNT/PDMS solution onto a substrate comprising an electrode, where an electric field is used to align the CNTs while the matrix is heated to convert the PDMS-based matrix to an SiO2-based matrix to secure the CNTs with respect to one another and with respect to the substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'une source d'électrons, une source d'électrons pour nanotube en carbone (CNT), et un procédé d'émission de champ utilisant une source d'électrons. Les modes de réalisation prévoient des mécanismes pratiques et efficaces permettant d'améliorer les performances thermiques et mécaniques des sources d'électrons CNT, dans un exemple, en chauffant une matrice à base de polymère (comme par exemple une PDMS) au-delà de son point de durcissement jusqu'à ce que le polymère se décompose afin de former une matrice réticulaire et rigide comprenant du dioxyde de silicium (SiO2). De plus, les modes de réalisation prévoient des mécanismes pratiques, efficaces et rentables permettant de produire des sources d'électrons de grande taille ayant des densités CNT contrôlées et quasiment uniformes en appliquant par centrifugation une solution CNT/PDMS sur un substrat comprenant une électrode, un champ électrique étant utilisé afin d'aligner les CNT pendant que la matrice est chauffée afin de convertir la matrice à base de PDMS en une matrice à base de SiO2 de façon à fixer les CNT les uns par rapport aux autres et par rapport au substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)