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1. (WO2008118433) MÉMOIRE NAND TRIDIMENSIONNELLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/118433    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/003908
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 26.03.2008
CIB :
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01)
Déposants : SANDISK 3D LLC [US/US]; 601 Mccarthy Boulevard, Milpitas, CA 95035-7932 (US) (Tous Sauf US).
MOKHLESI, Nima [US/US]; (US) (US Seulement).
SCHEUERLEIN, Roy [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MOKHLESI, Nima; (US).
SCHEUERLEIN, Roy; (US)
Mandataire : RADOMSKY, Leon; Foley & Lardner LLP, 3000 K Street N.W., Suite 500, Washington, DC 20007-5143 (US)
Données relatives à la priorité :
11/691,939 27.03.2007 US
11/691,917 27.03.2007 US
Titre (EN) THREE DIMENSIONAL NAND MEMORY AND METHOD OF MAKING THEREOF
(FR) MÉMOIRE NAND TRIDIMENSIONNELLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A monolithic, three dimensional NAND string includes a first memory cell located over a second memory cell. A semiconductor active region of the first memory cell is formed epitaxially on a semiconductor active region of the second memory cell, such that a defined boundary exists between the semiconductor active region of the first memory cell and the semiconductor active region of the second memory cell.
(FR)L'invention concerne une chaîne NAND tridimensionnelle monolithique comprenant une première cellule de mémoire située sur une seconde cellule de mémoire. Une zone active semi-conductrice de la première cellule de mémoire est formée par épitaxie sur une zone active semi-conductrice de la seconde cellule de mémoire de façon qu'une frontière définie soit présente entre la zone active semi-conductrice de la première cellule de mémoire et la zone active semi-conductrice de la seconde cellule de mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)