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1. (WO2008118399) FORMATION DE MOTIF DE DENSITÉ ULTRAÉLEVÉE DE MILIEUX CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/118399    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/003819
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 25.03.2008
CIB :
B82B 3/00 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF PITTSBURGH - OF THE COMMONWEALTH SYSTEM OF HIGHER EDUCATION [US/US]; 200 Gardner Steel Conference Center, Thackeray & O'Hara Streets, Pittsburgh, PA 15260 (US) (Tous Sauf US).
LEVY, Jeremy [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LEVY, Jeremy; (US)
Mandataire : BENT, Stephen, A.; Foley & Lardner LLP, Washington Harbour, 3000 K Street NW, Suite 500, Washington, DC 20007-5143 (US)
Données relatives à la priorité :
60/908,084 26.03.2007 US
Titre (EN) ULTRAHIGH DENSITY PATTERNING OF CONDUCTING MEDIA
(FR) FORMATION DE MOTIF DE DENSITÉ ULTRAÉLEVÉE DE MILIEUX CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A nanoscale device and a method for creating and erasing nanoscale conducting regions at the interface between two insulating oxides SrTiO3 and LaAlO3 is provided. The method uses the tip of a conducting atomic force microscope to locally and reversibly switch between conducting and insulating states. This allows ultra-high density patterning of quasi zero or one dimensional electron gas conductive regions, such as nanowires and conducting quantum dots respectively. The patterned structures are stable at room temperature after removal of the external electric field.
(FR)L'invention concerne un dispositif à nanoéchelle et un procédé de création et d'effacement de régions conductrices à nanoéchelle à l'interface entre deux oxydes isolants SrTiO3 et LaAlO3. Le procédé utilise la pointe d'un microscope à force atomique conducteur pour commuter localement et de manière réversible entre des états conducteur et isolant. Cela permet une formation en motif de densité ultraélevée de régions conductrices de gaz électronique quasi nulles ou monodimensionnelles, telles que, respectivement, des nanofils et des points quantiques conducteurs. Les structures formées en motif sont stables à température ambiante après suppression du champ électrique externe.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)