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1. (WO2008118294) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉS DE FABRICATION AFFÉRENTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/118294    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/003363
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 14.03.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.01.2009    
CIB :
H01L 27/102 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One Amd Place, Mail Stop 68, P.o. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (Tous Sauf US).
CHO, Hyun-jin [KR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHO, Hyun-jin; (US)
Mandataire : DRAKE, Paul, S.; Advanced Micro Devices, Inc., 5204 East Ben White Boulevard, Mail Stop 562, Austin, TX 78741 (US).
BROOKES BATCHELLOR LLP; 102-108 Clerkenwell Road, London EC1M 5SA (GB)
Données relatives à la priorité :
11/692,313 28.03.2007 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME
(FR) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉS DE FABRICATION AFFÉRENTS
Abrégé : front page image
(EN)A method is provided for fabricating a memory device. A semiconductor substrate (505) is provided which includes a first well region (532) having a first conductivity type, a second well region (534) having the first conductivity type, a first gate structure (562, 566) overlying the first well region (532) and the second gate structure (568, 574) overlying the second well region (534). An insulating material layer (569) is conformally deposited overlying exposed portions of the semiconductor substrate (505). Photosensitive material (575) is provided over a portion of the insulating material layer (569) which overlies a portion of the second well region (534). The photosensitive material (575) exposes portions of the insulating material layer (569). The exposed portions of the insulating material layer (569) are anisotropically etched to provide a sidewall spacer (572) adjacent a first sidewall of the second gate structure (568, 574), and an insulating spacer block (570) formed overlying a portion of the second gate structure (568, 574) and adjacent a second sidewall of the second gate structure (568, 574). A drain region (542) and a source/base region (550) are formed in the semiconductor substrate (505) adjacent the first gate structure (562, 566), and a cathode region (558) is formed in the semiconductor substrate (505) adjacent the second gate structure (568, 574). The drain region (542), the source/base region (550), and the cathode region (558) have a second conductivity type. An anode region (552) of the first conductivity type is formed adjacent the second gate structure (568, 574) in a portion of the source/base region (550).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire. Un substrat à semi-conducteurs (505) comprend une première zone de puits (532) possédant un premier type de conductivité, une deuxième zone de puits (534) possédant le premier type de conductivité, une première structure de gâchette (562, 566) recouvrant la première zone de puits (532) et la deuxième structure de gâchette (568, 574) recouvrant la deuxième zone de puits (534). Une couche de matériau d'isolation (569) est déposée de manière à épouser en les recouvrant les zones exposées du substrat à semi-conducteurs (505). Le matériau photosensible (575) se situe sur une partie de la couche de matériau d'isolation (569) qui recouvre une partie de la deuxième zone de puits (534). Le matériau photosensible (575) expose les zones de la couche de matériau d'isolation (569). Les zones exposées de la couche du matériau d'isolation (569) sont gravées par méthode anisotrope pour fournir une entretoise latérale (572) adjacente à une première paroi de la deuxième structure de gâchette (568, 574), et un bloc d'espacement isolant (570) formé de manière à épouser tout en la recouvrant, une zone de la deuxième structure de gâchette (568, 574) adjacente à une deuxième paroi latérale de la deuxième structure à gâchette.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)