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1. (WO2008118291) GRILLE DE PASSAGE TOLÉRANTE DE SURTENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/118291    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/003333
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 13.03.2008
CIB :
H03K 17/16 (2006.01), H03K 17/687 (2006.01)
Déposants : FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 82 Running Hill Road, South Portland, Maine 04106 (US) (Tous Sauf US).
MISKE, Myron, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MISKE, Myron, J.; (US)
Mandataire : PAUL, Edwin, H.; Cesari And McKenna, LLP, 88 Black Falcon Avenue, Boston, MA 02210 (US)
Données relatives à la priorité :
11/690,575 23.03.2007 US
Titre (EN) OVER-VOLTAGE TOLERANT PASS-GATE
(FR) GRILLE DE PASSAGE TOLÉRANTE DE SURTENSION
Abrégé : front page image
(EN)A pass-gate having a single or parallel opposite polarity FETsis disclosed. The wells of the primary transistor switches are driven from circuitry that reduces over-voltage leakage and other malfunctions. A circuit that drives the wells is also used to power enable circuits that drive the gates of the pass transistors. The use of separate circuits to the gate and the wells further reduces leakage. In the condition of power supply voltage and signal levels that are near the thresholds of the FETs involved, one or more Schottky diodes may be used across pn junctions in the FETs that will prevent turning on the pn junctions.
(FR)La présente invention concerne un passage de grille ayant des transistors à effet de champ à polarité unique ou parallèle. Les puits des commutateurs de transistors primaires sont commandés à partir d'un circuit qui réduit une fuite de surtension et d'autres dysfonctionnements. Un circuit qui commande les puits sert également à mettre sou tension des circuits qui commandent les grilles des transistors de passage. L'utilisation de circuits séparés vers la grille et les puits réduit davantage la fuite. Dans la condition de niveaux de tension d'alimentation et signaux proches des seuils des transistors sont impliqués, une ou des diodes Schottky peut/peuvent être utilisé(s) à travers les jonctions p-n dans les transistors qui vont empêcher la mise sous tension des jonctions p-n.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)