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1. (WO2008118139) ANODES EN OXYDE CATALYTIQUE POUR PILES À COMBUSTIBLE À HAUTE TEMPÉRATURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/118139    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/022278
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 16.10.2007
CIB :
H01M 4/92 (2006.01), H01M 8/00 (2006.01), C22C 5/04 (2006.01)
Déposants : DIRECT CARBON TECHNOLOGIES, LLC [US/US]; 1009 General Kennedy Ave. #2, San Franscisco, CA 94129 (US) (Tous Sauf US).
GUR, Turgut, M. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GUR, Turgut, M.; (US)
Mandataire : MCFARLANE, Thomas, J.; 2345 Yale Street, 2nd Floor, Palo Alto, CA 94306 (US)
Données relatives à la priorité :
60/852,335 16.10.2006 US
Titre (EN) CATALYTIC OXIDE ANODES FOR HIGH TEMPERATURE FUEL CELLS
(FR) ANODES EN OXYDE CATALYTIQUE POUR PILES À COMBUSTIBLE À HAUTE TEMPÉRATURE
Abrégé : front page image
(EN)An anode in a Direct Carbon Fuel Cell (DCFC) operating in a temperature range between 500 and 1200 degrees Celsius is provided. The anode material has high catalytic activity and selectivity for carbon oxidation, sufficient oxygen non-stoichiometry, rapid oxygen chemical diffusion, wide thermodynamic stability window to withstand reducing environment, sufficient electronic conductivity and tolerance to sulfur and CO2 environments. The anode has doped ruthenate compositions AI-xxA'xRuO3, ABI-yRuyO3, or AI-xA'xBI-yRuyO3. A and A' may be divalent, trivalent, or tetravalent cation, and B is a multivalent cation. A is among lanthanide series elements La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Er or Yb, and dopant A' is from Group IIA, IHB, or IVB elements. The doped ruthenates can also be a (AB1-yRuyO3) structure or an ordered Ruddlesden-Popper series ((AI-xAx')n+I(BI-yRuy)nO3n+I) structure where n=l or 2. The dopant B is among Group IVB, VB, VIB, VIII, IB, and IIB elements.
(FR)L'invention concerne une anode dans une pile à combustible à carbone directe (DCFC) fonctionnant dans une gamme de températures comprise entre 500 et 1 200 degrés Celsius. Le matériau d'anode a une activité catalytique élevée et une sélectivité élevée pour l'oxydation du carbone, une non-stœchiométrie à l'oxygène suffisante, une diffusion chimique d'oxygène rapide, une large fenêtre de stabilité thermodynamique pour supporter un environnement réducteur, une conductivité électronique suffisante et une tolérance suffisante aux environnements du soufre et du CO2. L'anode comporte des compositions au ruthénate dopé AI-xxA'xRuO3, ABI-yRuyO3, ou AI-xA'xBI-yRuyO3. A et A' peuvent être un cation divalent, trivalent ou tétravalent, et B est un cation multivalent. A est choisi parmi les éléments de la série des lanthanides La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Er ou Yb, et le dopant A' est choisi parmi les éléments des groupes IIA, IHB ou IVB. Les ruthénates dopés peuvent également avoir une structure (AB1-yRuyO3) ou une structure de série de Ruddlesden-Popper ordonnée ((AI-xAx')n+I(BI-yRuy)nO3n+I) où n = 1 ou 2. Le dopant B est choisi parmi les éléments des groupes IVB, VB, VIB, VIII, IB et IIB.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)