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1. (WO2008117951) CELLULE SOLAIRE COMPORTANT UNE COUCHE RÉFLÉCHISSANTE ARRIÈRE COMPOSÉE D'UN DIÉLECTRIQUE À K ÉLEVÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117951    N° de la demande internationale :    PCT/KR2008/001511
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 18.03.2008
CIB :
H01L 31/042 (2006.01)
Déposants : LG ELECTRONICS INC [KR/KR]; 20, Yeouido-dong, Yeongdeungpo-gu, Seoul 150-721 (KR) (Tous Sauf US).
PARK, Hyun-Jung [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : PARK, Hyun-Jung; (KR)
Mandataire : ROYAL PATENT LAW OFFICE; 1st. Floor, DOWON Bldg., Nam-Hyun Dong 1059-11, Kwanak Gu, Seoul 151-800 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2007-0028845 23.03.2007 KR
Titre (EN) SOLAR CELL INCLUDING BACKSIDE REFLECTION LAYER COMPOSED OF HIGH-K DIELECTRICS
(FR) CELLULE SOLAIRE COMPORTANT UNE COUCHE RÉFLÉCHISSANTE ARRIÈRE COMPOSÉE D'UN DIÉLECTRIQUE À K ÉLEVÉ
Abrégé : front page image
(EN)A solar cell includes a backside reflection layer containing a high-k dielectrics. The backside reflection layer includes a reflection film containing HfO2 or ZrO2 and a backside passivation layer containing of HfSixOy, ZrSixOy or SiO2, which are formed on a rear side of a substrate onto which solar rays are input. Thus, the solar cell exhibits excellent optical trapping for solar rays and low recombination rate of carriers on the rear side. Also, since the reflection film and the backside passivation layer have excellent thermal stability, it is possible to form electrodes by applying various processes such as thermal treatment.
(FR)L'invention concerne une cellule solaire qui comprend une couche réfléchissante arrière contenant un diélectrique à k élevé. Cette couche réfléchissante comporte un film réfléchissant qui contient du HfO2 ou du ZrO2 et une couche de passivation arrière composée de HfSixOy, de ZrSixOy ou de SiO2. Ledit film réfléchissant et ladite couche de passivation sont formés sur le côté arrière d'un substrat qui reçoit les rayons du soleil. La cellule solaire fait donc preuve d'une excellente capacité de piégeage optique des rayons solaires et sa vitesse de recombinaison des porteurs est faible sur le côté arrière. En plus, étant donné que le film réfléchissant et la couche de passivation arrière possèdent une excellente stabilité thermique, des électrodes peuvent être formées en accomplissant divers processus, tels qu'un traitement thermique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)