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1. (WO2008117905) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILMS MINCES À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE, ET FILMS MINCES AINSI OBTENUS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117905    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/003107
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 27.06.2007
CIB :
C23C 16/00 (2006.01)
Déposants : SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY FOUNDATION FOR CORPORATE COLLABORATION [KR/KR]; Sungkyunkwan Univ. 300, Cheoncheon-dong, Jangan-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 440-746 (KR) (Tous Sauf US).
JUNG, Dong-Geun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YANG, Jae-Young [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Sung-Woo [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : JUNG, Dong-Geun; (KR).
YANG, Jae-Young; (KR).
LEE, Sung-Woo; (KR)
Mandataire : LEE, Kyeong-Ran; 502 BYC Bldg., 648-1, Yeoksam 1-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-081 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2007-0029594 27.03.2007 KR
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD OF LOW-K THIN FILMS AND LOW-K THIN FILMS MANUFACTURED THEREFROM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILMS MINCES À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE, ET FILMS MINCES AINSI OBTENUS
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method of manufacturing a low-k thin film and the low-k thin film manufactured therefrom. More specifically, the method of manufacturing a low-k thin film in accordance with an embodiment of the present invention includes subjecting thin film, which is formed by plasma polymerization, to post-heat treatment using an RTA device, and low-k thin film manufactured therefrom. A method of manufacturing a low-k thin film in accordance with an embodiment of the present invention includes: evaporating a precursor solution including decamethyl-cyclopentasiloxane and cyclohexane in a bubbler; inflowing the evaporated precursor from the bubbler to a plasma deposition reactor; depositing a plasma-polymerized thin film on a substrate in the reactor by using a plasma in the reactor; and post-heat-treating by an RTA device.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de films minces à faible constante diélectrique, et un film mince ainsi obtenu, et plus particulièrement, un mode de réalisation par lequel on prend le film mince obtenu par polymérisation au plasma et on le soumet à un post-traitement thermique au moyen d'un dispositif de recuit thermique. Le procédé consiste à faire évaporer une solution précurseur comprenant du décaméthyl-cyclopentasiloxane et du cyclohexane dans un barboteur, à faire entrer dans un réacteur de dépôt au plasma le précurseur évaporé provenant du barboteur, à déposer un film mince polymérisé au plasma sur un substrat dans le réacteur en utilisant un plasma dans le réacteur, et à réaliser un post-traitement thermique au moyen d'un dispositif de recuit thermique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)