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1. (WO2008117832) APPAREIL DE TRAITEMENT SOUS VIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117832    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/055763
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 26.03.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.01.2009    
CIB :
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/509 (2006.01)
Déposants : CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 2-5-1 Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP) (Tous Sauf US).
ISHIBASHI, Keiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUMAGAI, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ISHIBASHI, Keiji; (JP).
TANAKA, Masahiko; (JP).
KUMAGAI, Akira; (JP)
Mandataire : OHTSUKA, Yasunori; 7th Fl., Kioicho Park Bldg. 3-6, Kioicho Chiyoda-ku, Tokyo 102-0094 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-080606 27.03.2007 JP
2007-080607 27.03.2007 JP
Titre (EN) VACUUM PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT SOUS VIDE
(JA) 真空処理装置
Abrégé : front page image
(EN)A substrate processing apparatus is provided with a vacuum processing container; a barrier section, which is composed of a conductive material, and partitions inside the vacuum processing container into a first space for generating plasma and a second space for processing a substrate by the plasma; a high frequency electrode arranged in the first space for generating plasma; and a substrate holding mechanism arranged in the second space for holding the substrate. The barrier section has a plurality of through holes communicating the first space and the second space, and the through holes are covered with a covering material having a recombination coefficient higher than that of the conductive material.
(FR)L'invention a trait à un appareil de traitement sous vide qui comprend : un conteneur de traitement sous vide ; une section barrière en matériau conducteur divisant l'intérieur du conteneur de traitement sous vide en un premier espace servant à générer un plasma et un second espace servant à traiter un substrat grâce au plasma ; une électrode haute fréquence disposée dans ledit premier espace ; et un mécanisme de maintien de substrat qui est installé dans le second espace et qui maintient le substrat. Ladite section barrière possède une pluralité de trous débouchants permettant au premier espace et au second espace de communiquer. Ces trous débouchants sont recouverts d'un matériau de revêtement dont le coefficient de recombinaison est supérieur à celui du matériau conducteur.
(JA) 基板処理装置は、真空処理容器と、導電性材料からなり、真空処理容器の内部を、プラズマを生成するための第1空間と、プラズマにより基板を処理する第2空間と、に分ける隔壁部と、第1空間に配されるプラズマ生成用の高周波電極と、第2空間に配され、前記基板を保持する基板保持機構と、を備え、隔壁部は、第1空間と第2空間とを連通する複数の貫通孔を有し、貫通孔は、導電性材料よりも再結合係数の高い被覆材により被覆されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)