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1. (WO2008117788) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117788    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/055514
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 25.03.2008
CIB :
H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/02 (2010.01)
Déposants : NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56 Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP) (Tous Sauf US).
NAGOYA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; Gokiso-cho, Syowa-ku, Nagoya-shi, Aichi 4668555 (JP) (Tous Sauf US).
SUMIYA, Shigeaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOSAKA, Kei [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYOSHI, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIBATA, Tomohiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA, Mitsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
EGAWA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUMIYA, Shigeaki; (JP).
KOSAKA, Kei; (JP).
MIYOSHI, Makoto; (JP).
SHIBATA, Tomohiko; (JP).
TANAKA, Mitsuhiro; (JP).
EGAWA, Takashi; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg., 4-70 Shiromi 1-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-078722 26.03.2007 JP
Titre (EN) LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 発光素子
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a light emitting element by which excellent light emission having a desired light emitting wavelength in the ultraviolet region can be obtained. An intermediate layer (5) formed of a group III nitride composed of Alw1Ga1-w1N (0.8≤w1≤1.0) is arranged between a light emitting layer (4) formed of a group III nitride composed of AlxGa1-xN (0.1≤x≤0.9) and a clad layer (6a), i.e., a P-type conductive section formed by doping a group III nitride composed of Alz1Ga1-z1N (x
(FR)L'invention concerne un élément électroluminescent par l'intermédiaire duquel une excellente émission de lumière ayant une longueur d'onde d'émission de lumière souhaitée dans la zone ultraviolette peut être obtenue. Une couche intermédiaire (5) formée d'un nitrure du groupe III constitué de Alw1Ga1-w1N (0,8 ≤ w1 ≤ 1) est agencée entre une couche d'émission de lumière (4) formée d'un nitrure du groupe III constitué de AlxGa1-xN (0,1 ≤ x ≤ 0,9) et d'une couche de plaquage (6a), c'est-à-dire une section conductrice de type B formée en dopant un nitrure du groupe III constitué de Alz1Ga1-z1N (x ≤ z1 ≤ 1) avec du Mg. Ainsi, une émission de lumière inutile, qui est générée dans une bande de 300 nm lorsque des atomes de Mg sont diffusés dans la couche d'émission de lumière (4) tandis que l'élément émetteur de lumière (10) est formé, est supprimée, et l'élément émetteur de lumière ayant une sortie de lumière supérieure par comparaison à la sortie de dispositifs habituels est fourni.
(JA) 所望する発光波長での紫外域の発光が良好に得られる発光素子を提供する。AlxGa1-xN(0.1≦x≦0.9)なるIII族窒化物で形成した発光層4とAlz1Ga1-z1N(x<z1≦1.0)なるIII族窒化物にMgをドープして形成したP型の導電部であるクラッド層6aとの間に、Alw1Ga1-w1N(0.8≦w1≦1.0)なるIII族窒化物にて形成された中間層5を介在させる。これにより、係る不要な発光は、Mg原子が発光素子10の作成過程で発光層4に拡散した場合に生じる、300nm帯での不要な発光が抑制され、従来よりも高い光出力が得られる発光素子が実現される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)