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1. (WO2008117742) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE DE ZINC ET APPAREIL DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE DE ZINC
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117742    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/055237
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 21.03.2008
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01)
Déposants : ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (Tous Sauf US).
KOUKITSU, Akinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUMAGAI, Yoshinao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJII, Tetsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOUKITSU, Akinori; (JP).
KUMAGAI, Yoshinao; (JP).
FUJII, Tetsuo; (JP)
Mandataire : MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-079938 26.03.2007 JP
Titre (EN) ZINC OXIDE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD AND ZINC OXIDE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE DE ZINC ET APPAREIL DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE DE ZINC
(JA) 酸化亜鉛系半導体の製造方法及び酸化亜鉛系半導体の製造装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a zinc oxide semiconductor manufacturing method for easily manufacturing a high quality zinc oxide semiconductor, and an apparatus for manufacturing such semiconductor. A zinc oxide semiconductor manufacturing apparatus (1) is provided with a chlorine gas supplying means (2), a carrier gas supplying means (3), a material zone (4), a heating means (5), a water supplying means (6), a carrier gas supplying means (7), a growing zone (8), a heating means (9), a substrate holding means (10), and a hydrogen supplying means (11). In the material zone (4), chlorine gas supplied from the chlorine gas supplying means (2) and zinc are reacted, and zinc chloride gas is generated. In the growing zone (8), the zinc chloride supplied from the material zone (4) and water supplied from the water supplying means (6) as oxygen material are reacted, and the zinc oxide semiconductor is grown on the growing substrate (16) held by the substrate holding means (10).
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un semi-conducteur d'oxyde de zinc pour fabriquer aisément un semi-conducteur d'oxyde de zinc de qualité élevée, et sur un appareil pour fabriquer un tel semi-conducteur. Un appareil (1) de fabrication de semi-conducteur d'oxyde de zinc comporte des moyens (2) d'alimentation en chlore gazeux, des moyens (3) d'alimentation en gaz porteur, une zone de matériau (4), des moyens de chauffage (5), des moyens d'alimentation en eau (6), des moyens (7) d'alimentation en gaz porteur, une zone de croissance (8), des moyens de chauffage (9), des moyens (10) de maintien de substrat et des moyens (11) d'alimentation en hydrogène. Dans la zone de matériau (4), du chlore gazeux fourni à partir des moyens (2) d'alimentation en chlore gazeux et du zinc sont amenés à réagir, et du chlorure de zinc gazeux est généré. Dans la zone de croissance (8), le chlorure de zinc fourni à partir de la zone de matériau (4) et l'eau fournie à partir des moyens (6) d'alimentation en eau sous forme de matériau oxydant sont amenés à réagir, et le semi-conducteur d'oxyde de zinc est amené à croître sur le substrat de croissance (16) maintenu par les moyens (10) de maintien de substrat.
(JA)高品質の酸化亜鉛系半導体を容易に製造できる酸化亜鉛系半導体の製造方法及びその製造装置を提供する。る酸化亜鉛半導体の製造装置1は、塩素ガス供給手段2と、キャリアガス供給手段3と、原料ゾーン4と、加熱手段5と、水供給手段6と、キャリアガス供給手段7と、成長ゾーン8と、加熱手段9と、基板保持手段10と、水素供給手段11とを備えている。原料ゾーン4では、塩素ガス供給手段2から供給される塩素ガスと亜鉛とを反応させて塩化亜鉛ガスを生成する。成長ゾーン8では、原料ゾーン4から供給される塩化亜鉛と、酸素材料として水供給手段6から供給される水とを反応させて、基板保持手段10に保持された成長基板16上に酸化亜鉛半導体を成長させる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)