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1. (WO2008117703) GUIDE D'ONDE OPTIQUE COMPOSITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117703    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/054984
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 18.03.2008
CIB :
G02B 6/122 (2006.01), G02B 6/30 (2006.01)
Déposants : NAGATA, Seiichi [JP/JP]; (JP).
MURATA, Junichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAGATA, Seiichi; (JP).
MURATA, Junichi; (JP)
Mandataire : ITAYA, Yasuo; Tokushima Bldg. 7F. 3-9-10, Minamisemba, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5420081 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-082146 27.03.2007 JP
Titre (EN) COMPOSITE OPTICAL WAVEGUIDE
(FR) GUIDE D'ONDE OPTIQUE COMPOSITE
(JA) 複合光導波路
Abrégé : front page image
(EN)In a recessed section region on the side of one main surface of a silicon substrate (100) in a composite optical waveguide, a first region (141) and a second region (142), each of which contains silica as a main component, are arranged. A silicon thin line (300) composed of semiconductor is arranged to extend in proximity to the first region (141). In the recessed section region, the first region (141) relatively exists inside, and the second region (142) relatively exists outside. The refractive index of the first region (141) is higher than that of the second region (142), and the refractive index of the silicon thin line (300) is higher than that of the first region (141).
(FR)L'invention concerne une zone de section évidée sur le côté d'une première surface principale d'un substrat de silicium (100) dans un guide d'onde optique composite, dans laquelle une première zone (141) et une seconde zone (142), chacune contenant de la silice comme composant principal, sont agencées. Une ligne de silicium mince (300) constituée d'un semi-conducteur est agencée pour s'étendre à proximité de la première zone (141). Dans la zone de section évidée, la première zone (141) existe relativement à l'intérieur et la seconde zone (142) existe relativement à l'extérieur. L'indice de réfraction de la première zone (141) est supérieur àcelui de la seconde zone (142), et l'indice de réfraction de la ligne de silicium mince (300) est supérieur à celui de la première zone (141).
(JA)この複合光導波路は、シリコン基板100の一方の主面の側の凹部領域内に各々シリカを主成分とする第1領域141および第2領域142を有する。第1領域141に近接して延在する半導体からなるシリコン細線300が設けられている。凹部領域において相対的に第1領域141は内側に存在するとともに第2領域142は外側に存在する。第1領域141の屈折率は第2領域142の屈折率より大きく、シリコン細線300の屈折率は第1領域141の屈折率より大きい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)