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1. (WO2008117702) PROCÉDÉ POUR FORMER UN CÂBLAGE MÉTALLIQUE POURVU D'UN MOTIF ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR PRODUIT EN UTILISANT LE PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117702    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/054964
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 18.03.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.07.2008    
CIB :
H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01)
Déposants : KYUSHU INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 1-1, Sensui-cho, Tobata-ku, Kitakyushu-shi, Fukuoka 8048550 (JP) (Tous Sauf US).
HARIMA CHEMICALS, INC. [JP/JP]; 671-4, Mizuashi, Noguchi-cho, Kakogawa-shi, Hyogo 6750019 (JP) (Tous Sauf US).
IZUMI, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIHARA, Masamichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKADA, Haruki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IZUMI, Akira; (JP).
ISHIHARA, Masamichi; (JP).
TAKADA, Haruki; (JP)
Mandataire : OHKAWA, Yuzuru; Kaimei Patent Office Sankyo Central Plaza Building 5F 11-8, Nishi-Nippori 5-chome Arakawa-ku, Tokyo 1160013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-083570 28.03.2007 JP
Titre (EN) METHOD FOR METAL PATTERNED WIRING FORMATION AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED USING THE METHOD
(FR) PROCÉDÉ POUR FORMER UN CÂBLAGE MÉTALLIQUE POURVU D'UN MOTIF ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR PRODUIT EN UTILISANT LE PROCÉDÉ
(JA) 金属パターン配線形成方法及び該方法を用いて作成された半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a metal wiring having high electroconductivity which can be produced by drying a metal paste at a low temperature in a short time without cracking in the formation of a direct drawing-type patterned wiring using a metal paste. In this case, a patterned wiring using a metal paste comprising metal particles contained in an organic solvent is formed by a direct drawing method. The wiring is lyophilized in which the organic solvent is sublimated. The lyophilized wiring is then treated with atomic hydrogen to reduce a metal surface oxide film.
(FR)Cette invention propose un câblage métallique ayant une conductivité élevée qui peut être produit en séchant une pâte métallique à une température basse en un court laps de temps sans fissuration, pour former un câblage pourvu d'un motif du type à étirage direct en utilisant une pâte métallique. Dans ce cas, un câblage pourvu d'un motif utilisant une pâte métallique comportant des particules de métal contenues dans un solvant organique est formé par un procédé d'étirage direct. Le câblage est lyophilisé, le solvant organique étant sublimé. Le câblage lyophilisé est ensuite traité avec de l'hydrogène atomique pour réduire un film d'oxyde de surface métallique.
(JA) 本発明は、金属ペーストを用いた直描方式パターニング配線を形成するに際して、低温かつ短時間でひび割れなく金属ペーストを乾燥させ、導電性の高い金属配線を提供する。有機溶媒中に金属粒子が含有されている金属ペーストを用いたパターニング配線を直描方式により形成し、該配線に対して、有機溶媒を昇華させる凍結乾燥処理を行い、そして、凍結乾燥処理配線を原子状水素により金属表面酸化膜の還元をする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)