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1. (WO2008117627) PROCÉDÉ DE DÉVELOPPEMENT D'UN CRISTAL D'ALGAN SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117627    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/053631
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 29.02.2008
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND TECHNOLOGY TLO CO., LTD [JP/JP]; 24-16 Naka-cho 2-chome, Koganei-shi Tokyo 1848588 (JP) (Tous Sauf US).
KOUKITU, Akinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUMAGAI, Yoshinao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MURAKAMI, Hisashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOUKITU, Akinori; (JP).
KUMAGAI, Yoshinao; (JP).
MURAKAMI, Hisashi; (JP)
Mandataire : ITO, Mitsuru; 6th floor, Yotsuya Chuou Building 2-17, Yotsuya 3-chome Shinjuku-ku Tokyo 1600004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-078761 26.03.2007 JP
Titre (EN) METHOD FOR GROWING ALGAN CRYSTAL ON SILICON SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE DÉVELOPPEMENT D'UN CRISTAL D'ALGAN SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM
(JA) シリコン基板上におけるAlGaN結晶成長方法
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a method for growing a high-quality AlGaN crystal on a silicon substrate without troublesome treatment. The surface of a silicon substrate (1024) is terminated with hydrogen. The silicon substrate (1024) is first heated to 700°C or above, for example, to about 950°C to eliminate hydrogen. A carrier gas is changed from hydrogen to nitrogen, and the temperature is then raised to an AlGaN crystal growth temperature. At the same time, a starting gas is also introduced. Thus, AlGaN is epitaxially grown. Since hydrogen is eliminated before the crystal of AlGaN is grown, a higher-quality AlGaN crystal can be produced.
(FR)Cette invention propose un procédé pour développer un cristal d'AlGaN de qualité élevée sur un substrat de silicium sans traitement problématique. La surface du substrat de silicium (1024) est terminée par de l'hydrogène. Le substrat de silicium (1024) est tout d'abord chauffé à au moins 700°C, par exemple, jusqu'à environ 950°C pour éliminer l'hydrogène. Un gaz porteur est changé d'hydrogène en azote, et la température est ensuite élevée jusqu'à une température de développement du cristal d'AlGaN. En même temps, un gaz de départ est également introduit. Ainsi, de l'AlGaN est développé de façon épitaxiale. Etant donné que l'hydrogène est éliminé avant que le cristal d'AlGaN ne soit développé, un cristal d'AlGaN de qualité supérieure peut être produit.
(JA) 煩雑な処理をすることなく、シリコン基板上に高品質なAlGaNの結晶の成長を行う方法を提供する。  シリコン基板1024の表面は、水素で終端されている。まず、<>700°C以上、例えば950°C程度で加熱し、水素を脱離する。キャリアガスを水素から窒素に変えた後、AlGaNの結晶成長温度まで上昇させる。同時に原料ガスも導入する。このようにして、AlGaNをエピタキシャル成長させる。水素を脱離してからAlGaNの結晶成長を行ったので、より高品質なAlGaN結晶を得ることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)