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1. (WO2008117607) MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE ET ÉQUIPEMENT DE TRAITEMENT AU PLASMA ÉQUIPÉ DUDIT MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117607    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/053216
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 26.02.2008
CIB :
H01L 21/683 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO PRECISION PRODUCTS CO., LTD. [JP/JP]; 1-10 Fuso-cho, Amagasaki-shi, Hyogo 6600891 (JP) (Tous Sauf US).
HAYAMI, Toshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HAYAMI, Toshihiro; (JP)
Mandataire : MURAKAMI, Satoshi; Dojima Building, 7th Floor 6-8 Nishitemma 2-Chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300047 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-075964 23.03.2007 JP
Titre (EN) ELECTROSTATICK CHUCK AND PLASMA PROCESSING EQUIPMENT WITH ELECTROSTATICK CHUCK
(FR) MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE ET ÉQUIPEMENT DE TRAITEMENT AU PLASMA ÉQUIPÉ DUDIT MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE
(JA) 静電チャック及びこれを備えたプラズマ処理装置
Abrégé : front page image
(EN)An electrostatick chuck which can enhance attraction force for any substrate. The electrostatick chuck (21) comprises a base mount (22) consisting of a body (23) and an insulating film (24), an electrode (25) and an insulating layer (26) laminated on the upper surface of the body (23), and a DC power supply (29) for applying a DC voltage to the electrode (25) wherein the insulating film (24) is formed on the upper surface of the body (23), the electrode (25) is formed on the upper surface of the insulating film (24) and the insulating layer (26) is formed on the upper surface of the electrode (25). The insulating layer (26) has a two-layerstructure of a polyimide layer (27) and a ceramic layer (28) wherein the polyimide layer (27) is formed on the upper surface of the electrode (25), and the ceramic layer (28) is formed on the upper surface of the polyimide layer (27). A substrate K is mounted on the surface of the ceramic layer (28).
(FR)L'invention concerne un mandrin électrostatique qui peut augmenter la force d'attraction pour tout substrat. Ledit mandrin électrostatique (21) comprend une embase (22) constituée d'un corps (23) et d'un film isolant (24), une électrode (25) et une couche isolante (26) stratifiée sur la surface supérieure du corps (23), et une alimentation CC (29) qui permet d'appliquer une tension CC aux bornes de l'électrode (25); le film isolant (24) étant formé sur la surface supérieure du corps (23), l'électrode (25) étant formée sur la surface supérieure du film isolant (24) et la couche isolante (26) étant formée sur la surface supérieure de l'électrode (25). La couche isolante (26) comprend une structure bicouche composée d'une couche polyimide (27) et d'une couche céramique (28), la couche de polyimide (27) étant formée sur la surface supérieure de l'électrode (25), et la couche céramique (28) étant formée sur la surface supérieure de la couche de polyimide (27). Un substrat K est monté sur la surface de la couche céramique (28).
(JA) 本発明は、どのような基板に対してもより吸着力を高めることができる静電チャックなどに関する。静電チャック(21)は、本体(23)、及びこの本体(23)の上面に積層された絶縁膜(24),電極(25)及び絶縁層(26)からなる基台(22)と、電極(25)に直流電圧を印加する直流電源(29)とを備え、絶縁膜(24)は本体(23)の上面に、電極(25)は絶縁膜(24)の上面に、絶縁層(26)は電極(25)の上面に形成される。前記絶縁層(26)は、ポリイミドからなる層(27)とセラミックからなる層(28)との2層構造に形成されて、ポリイミド層(27)が電極(25)の上面に、セラミック層(28)がポリイミド層(27)の上面に形成される。基板Kはセラミック層(28)の表面に載置される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)