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1. (WO2008117593) DISPERSION AQUEUSE POUR POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117593    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/052804
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 20.02.2008
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), B24B 37/00 (2006.01), C09K 3/14 (2006.01)
Déposants : JSR CORPORATION [JP/JP]; 6-10, Tsukiji 5-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048410 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUMOTO, Taichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UENO, Tomikazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ANDOU, Michiaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MATSUMOTO, Taichi; (JP).
UENO, Tomikazu; (JP).
ANDOU, Michiaki; (JP)
Mandataire : OFUCHI, Michie; 2nd Floor, Ogikubo TM Bldg. 26-13, Ogikubo 5-chome Suginami-ku, Tokyo 1670051 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-078749 26.03.2007 JP
Titre (EN) AQUEOUS DISPERSION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPERSION AQUEUSE POUR POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 化学機械研磨用水系分散体および半導体装置の化学機械研磨方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing containing (A) a colloidal silica having an average particle size as calculated from a specific surface area determined by a BET method of 10-50 nm, (B) phosphoric acid, (C) a polyethyleneimine, and (D) a quaternary ammonium compound represented by the general formula (1) below. This aqueous dispersion for chemical mechanical polishing has a pH of 3-5. (1) (In the formula (1), R1-R4 independently represent a hydrocarbon group, and M- represents an anion.)
(FR)L'invention concerne une dispersion aqueuse destinée au polissage mécano-chimique, cette dispersion contenant (A) une silice colloïdale possédant une taille moyenne de particules comprise entre 10 et 50 nm, calculée à partir d'une surface spécifique déterminée par un procédé BET, (B) de l'acide phosphorique, (C) une polyéthylèneimine et (D) un composé quaternaire d'ammonium représenté par la formule générale (1). Cette dispersion aqueuse pour le polissage mécano-chimique présente un pH compris entre 3 et 5. Dans la formule (1), R1 à R4 représentent indépendamment un groupe hydrocarboné et M- représente un anion.
(JA) 本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、(A)BET法を用いて測定した比表面積から算出される平均粒径は、10nm~50nmであるコロイダルシリカと、(B)リン酸と、(C)ポリエチレンイミンと、(D)下記一般式(1)で示される四級アンモニウム化合物と、を含み、かつ、pHは3~5である。 ((1)式中、RないしRは、各々独立して炭化水素基を表す。Mは、アニオンを表す。)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)