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1. (WO2008117571) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN NITRURE MONOCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117571    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/051894
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 30.01.2008
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), C30B 19/02 (2006.01)
Déposants : NGK Insulators, Ltd. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP) (Tous Sauf US).
MORI, Yusuke [JP/JP]; (JP).
ICHIMURA, Mikiya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IMAI, Katsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIRAO, Takayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SASAKI, Takatomo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWAMURA, Fumio [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MORI, Yusuke; (JP).
ICHIMURA, Mikiya; (JP).
IMAI, Katsuhiro; (JP).
HIRAO, Takayuki; (JP).
SASAKI, Takatomo; (JP).
KAWAMURA, Fumio; (JP)
Mandataire : HOSODA, Masutoshi; Jowa Takanawa BLDG. 7F, 5-4, Takanawa 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1080074 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-079010 26.03.2007 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING NITRIDE SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN NITRURE MONOCRISTALLIN
(JA) 窒化物単結晶の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A seed crystal substrate is immersed in a melt containing a flux and a single crystal raw material in a growth vessel, and a nitride single crystal is grown on the growth surface of the seed crystal substrate. The process comprises the preparatory step for dissolving nitrogen in the above melt at temperature T1 (K) under pressure P1 (MPa) and the principal growing step for growing a nitride single crystal on the growth surface of the seed crystal substrate at temperature T2 (K) under pressure P2 (MPa). These P1, P2, T1 and T2 satisfy the formulae: T2-10 ≤ T1 ≤ T2+60 (1) P2-0.5 ≤ P1 ≤ P2+5.0 (2), and P1 ≥ 1.1 x P2 x (T1/T2)0.5exp[(E/k)•[(1/T1)-(1/T2)]] (3).
(FR)Selon l'invention, un substrat de cristal d'ensemencement est immergé dans une masse fondue contenant un fondant et une matière première monocristalline dans un récipient de croissance, et un nitrure monocristallin est amené à croître sur la surface de croissance du substrat de cristal d'ensemencement. Le procédé comprend l'étape préparatoire consistant à dissoudre de l'azote dans la masse fondue ci-dessus à la température T1 (K) sous pression P1 (MPa) et l'étape de croissance principale consistant à faire croître un nitrure monocristallin sur la surface de croissance du substrat de cristal d'ensemencement à la température T2 (K) sous pression P2 (MPa). Ces P1, P2, T1 et T2 satisfont les formules : T2-10 ≤ T1 ≤ T2+60 (1) P2-0,5 ≤ P1 ≤ P2+5,0 (2), et P1 ≥ 1,1 x P2 x (T1/T2)0.5exp[(E/k)•[(1/T1)-(1/T2)]] (3).
(JA)育成容器内でフラックスおよび単結晶原料を含む融液に種結晶基板を浸漬し、この種結晶基板の育成面上に窒化物単結晶を育成する。温度T1(K)および圧力P1(MPa)で前記融液に窒素を溶解させるための予備工程、および温度T2(K)および圧力P2(MPa)で前記種結晶基板の前記育成面上に窒化物単結晶を成長させる本育成工程を備える。P1、P2、T1、T2が関係式(1)、(2)および(3)を満足する。T2−10 ≦ T1 ≦ T2+60・・・・・・(1)P2−0.5 ≦ P1 ≦ P2+5.0・・・・・・(2)P1≧1.1×P2×(T1/T2)0.5exp[(E/k)・[(1/T1)−(1/T2)]]・・・・・・・(3)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)