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1. (WO2008117564) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN NITRURE MONOCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117564    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/051463
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 24.01.2008
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), C30B 19/02 (2006.01), H01L 21/208 (2006.01)
Déposants : NGK Insulators, Ltd. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP) (Tous Sauf US).
ICHIMURA, Mikiya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IMAI, Katsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IWAI, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SASAKI, Takatomo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MORI, Yusuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWAMURA, Fumio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KITAOKA, Yasuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ICHIMURA, Mikiya; (JP).
IMAI, Katsuhiro; (JP).
IWAI, Makoto; (JP).
SASAKI, Takatomo; (JP).
MORI, Yusuke; (JP).
KAWAMURA, Fumio; (JP).
KITAOKA, Yasuo; (JP)
Mandataire : HOSODA, Masutoshi; Jowa Takanawa BLDG. 7F, 5-4, Takanawa 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1080074 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-081476 27.03.2007 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN NITRURE MONOCRISTALLIN
(JA) 窒化物単結晶の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A nitride single crystal is manufactured on a seed crystal substrate (5) in a solution (2), which contains a flux and a single crystal material, in a growing container (1). The solution (2) in the growing container (1) has temperature gradient in a horizontal direction. At the time of growing a nitride single crystal by a flux method, adhesion of inferior crystals to the single crystal is suppressed and the film thickness of the single crystal is uniformized.
(FR)L'invention porte sur un nitrure monocristallin qui est fabriqué sur un substrat de cristal d'ensemencement (5) dans une solution (2), laquelle contient un fondant et une matière monocristalline dans un conteneur de croissance (1). La solution (2) dans le conteneur de croissance (1) a un gradient de température dans une direction horizontale. Au moment de la croissance d'un nitrure monocristallin par un procédé à fondant, une adhésion de cristaux inférieurs au monocristal est supprimée et l'épaisseur de film du monocristal est uniformisée.
(JA)育成容器1内でフラックスおよび単結晶原料を含む融液2中で種結晶基板5上に窒化物単結晶を製造するのに際して、育成容器1内の融液2に、水平方向において温度勾配を設ける。これによって、フラックス法によって窒化物単結晶を育成するのに際して、単結晶への雑晶の付着を抑制し、かつ単結晶の膜厚を均一化する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)