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1. (WO2008117520) CONTRÔLEUR DE MÉMOIRE, SYSTÈME DE MÉMOIRE NON VOLATILE ET DISPOSITIF HÔTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117520    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/000566
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 13.03.2008
CIB :
G06F 12/06 (2006.01), G06F 12/00 (2006.01), G06F 12/02 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
TOYAMA, Masayuki; (US Seulement)
Inventeurs : TOYAMA, Masayuki;
Mandataire : ISHII, Kazuo; Kitahama-Yamamoto Building 3-6, Kitahama 2-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-083807 28.03.2007 JP
Titre (EN) MEMORY CONTROLLER, NONVOLATILE MEMORY SYSTEM AND HOST DEVICE
(FR) CONTRÔLEUR DE MÉMOIRE, SYSTÈME DE MÉMOIRE NON VOLATILE ET DISPOSITIF HÔTE
(JA) メモリコントローラ、不揮発性メモリシステムおよびホスト装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a nonvolatile memory system which can be used for storing a boot program and easily controlled by a host device. At the time of reading a boot code (201) from a flash memory (200), a memory controller (100) executes first operation mode, based on an instruction given from a host device (300), and the boot code (201) is read from a specified region of the flash memory (200) by specifying the physical address of the flash memory (200).
(FR)L'invention concerne un système de mémoire non volatile qui peut être utilisé pour stocker un programme d'amorçage et facilement commandé par un dispositif hôte. Au moment de la lecture d'un code d'amorçage (201) à partir d'une mémoire flash (200), un contrôleur de mémoire (100) exécute un premier mode d'opération, sur la base d'une instruction donnée à partir d'un dispositif hôte (300), et le code d'amorçage (201) est lu à partir d'une région spécifiée de la mémoire flash (200) par spécification de l'adresse physique de la mémoire flash (200).
(JA) ブートプログラム格納用として使用でき、ホスト装置での制御が容易な不揮発性メモリシステムを提供する。  フラッシュメモリ200からブートコード201を読み出す際には、メモリコントローラ100は、ホスト装置300の指示に基づいて第1の動作モードを実行し、フラッシュメモリ200の物理アドレスを指定してフラッシュメモリ200の特定の領域からブートコード201を読み出す。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)