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1. (WO2008117494) ELÉMENT DE STOCKAGE ET DISPOSITIF DE STOCKAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117494    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/073242
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 30.11.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.01.2009    
CIB :
H01L 27/10 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01), H01L 49/02 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
ARITA, Koji; (US Seulement).
TAKAGI, Takeshi; (US Seulement).
MIKAWA, Takumi; (US Seulement).
KAWASHIMA, Yoshio; (US Seulement).
WEI, Zhiqiang; (US Seulement)
Inventeurs : ARITA, Koji; .
TAKAGI, Takeshi; .
MIKAWA, Takumi; .
KAWASHIMA, Yoshio; .
WEI, Zhiqiang;
Mandataire : PATENT CORPORATE BODY ARCO PATENT OFFICE; 3rd Fl., Bo-eki Bldg. 123-1, Higashimachi Chuo-ku, Kobe-shi Hyogo 6500031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-074513 22.03.2007 JP
Titre (EN) STORAGE ELEMENT AND STORAGE DEVICE
(FR) ELÉMENT DE STOCKAGE ET DISPOSITIF DE STOCKAGE
(JA) 記憶素子及び記憶装置
Abrégé : front page image
(EN)Storage elements (3) provided in a storage device (21) in matrices comprise resistance change elements (1) the electrical resistance values of which are changed by application of an electrical pulse having a positive or negative polarity and which maintain electrical resistance values after the change and current suppression elements (2) for suppressing the current flowing during the application of the electrical pulse to the resistance change elements. The current suppression elements include first electrodes, second electrodes, and current suppression layers provided between the first electrodes and the second electrodes. The current suppression layers are composed of SiNx (x is a positive real number).
(FR)L'invention concerne des éléments de stockage (3) disposés en matrices dans un dispositif de stockage (21) et comportant des éléments de changement de résistance (1). Lesdits éléments (1) possèdent des valeurs de résistance électrique qui changent lors de l'application d'une impulsion électrique ayant une polarité positive ou négative. Ces éléments (1) sont capables de maintenir leurs valeurs de résistance électrique une fois qu'elles ont été modifiées. Les éléments de stockage (3) comprennent également des éléments de suppression de courant (2) destinés à supprimer le courant qui circule lors de l'application de l'impulsion électrique sur les éléments de changement de résistance. Ces éléments de suppression de courant (2) sont munis de premières électrodes, de secondes électrodes et de couches de suppression de courant qui sont placées entre les premières et les secondes électrodes. Lesdites couches de suppression de courant se composent de SiNx (x étant un nombre réel positif).
(JA) 記憶装置(21)にマトリクス状に配設された記憶素子(3)が、極性が正又は負の電気パルスの印加によりその電気抵抗値が変化しかつ該変化した後の電気抵抗値を維持する抵抗変化素子(1)と、前記抵抗変化素子に前記電気パルスの印加時に流れる電流を抑制する電流抑制素子(2)とを備え、前記電流抑制素子は、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配設された電流抑制層とを備え、前記電流抑制層が、SiN(xは正の実数)により構成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)