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1. (WO2008117450) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANSISTOR ORGANIQUE ET TRANSISTOR ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117450    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/056425
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 27.03.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.11.2008    
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : PIONEER CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Meguro 1-chome, Meguro-ku, Tokyo 1538654 (JP) (Tous Sauf US).
OHTA, Satoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OHTA, Satoru; (JP)
Mandataire : MIZUNO, Katsufumi; 721, Marunouchi-Nakadori Bldg. 2-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING ORGANIC TRANSISTOR AND ORGANIC TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANSISTOR ORGANIQUE ET TRANSISTOR ORGANIQUE
(JA) 有機トランジスタの製造方法及び有機トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a process for producing an organic transistor realizing less shift of threshold voltage, and provide the structure thereof. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A process for producing an organic transistor, the organic transistor including paired source electrode (4) and drain electrode (5), organic semiconductor layer (6) for forming a channel between the source electrode and the drain electrode and, laid on the organic semiconductor layer, gate insulating film (3) and gate electrode (2), which process comprises forming a porphyrin compound into a film to thereby obtain the organic semiconductor layer and simultaneously forming a siloxane compound or silazane compound into a film and hardening the same to thereby obtain the gate insulating film.
(FR)La présente un procédé de production de transistor organique réalisant moins de décalage de tension de seuil inférieur, ainsi que sa structure. La présente invention concerne un procédé de production d'un transistor organique, le transistor organique comportant une électrode de source (4) et une électrode de drain (5) appariées, une couche semi-conductrice organique (6) pour former un canal entre l'électrode de source et l'électrode de drain et, déposé sur la couche semi-conductrice organique, un film isolant de grille (3) et une électrode de grille (2). Ledit procédé comprend la formation d'un composé de porphyrine en un film pour obtenir la couche semi-conductrice organique et la formation simultanée d'un composé siloxane ou d'un composé silazane en un film et son durcissement pour obtenir le film isolant de grille.
(JA)【課題】閾値電圧のシフトが小さい有機トランジスタの製造方法およびその構造を提供すること 【解決手段】一対のソース電極(4)及びドレイン電極(5)と、このソース電極及びドレイン電極間のチャネルを形成するための有機半導体層(6)と、この有機半導体層に積層されるゲート絶縁膜(3)及びゲート電極(2)と、を有する有機トランジスタの製造するにあたり、ポルフィリン化合物を成膜して前記有機半導体層を形成すると共に、シロキサン化合物またはシラザン化合物を成膜し、硬化させて前記ゲート絶縁膜を形成するようにする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)