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1. (WO2008117398) DISPOSITIF D'EXPOSITION À UN FAISCEAU ÉLECTRONIQUE À MULTIPLES COLONNES ET PROCÉDÉ D'EXPOSITION À UN FAISCEAU ÉLECTRONIQUE À MULTIPLES COLONNES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117398    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/056246
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 26.03.2007
CIB :
H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : ADVANTEST CORPORATION [JP/JP]; 32-1, Asahi-cho 1-chome, Nerima-ku, Tokyo1790071 (JP) (Tous Sauf US).
YAMADA, Akio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YASUDA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKANO, Mitsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIUCHI, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMADA, Akio; (JP).
YASUDA, Hiroshi; (JP).
NAKANO, Mitsuhiro; (JP).
KIUCHI, Takashi; (JP)
Mandataire : OKAMOTO, Keizo; OKAMOTO PATENT OFFICE Yamanishi Bldg., 4F, 11-7, Nihonbashi Ningyo-cho 3-chome, Chuo-ku, Tokyo1030013 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MULTICOLUMN ELECTRON BEAM EXPOSURE DEVICE AND MULTICOLUMN ELECTRON BEAM EXPOSURE METHOD
(FR) DISPOSITIF D'EXPOSITION À UN FAISCEAU ÉLECTRONIQUE À MULTIPLES COLONNES ET PROCÉDÉ D'EXPOSITION À UN FAISCEAU ÉLECTRONIQUE À MULTIPLES COLONNES
(JA) マルチコラム電子ビーム露光装置及びマルチコラム電子ビーム露光方法
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a multicolumn electron beam exposure device and a multicolumn electron beam exposure method which can improve precision in coupling of patterns between column cells. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The multicolumn electron beam exposure device has column cells, a wafer stage provided with an electron beam property detection part for measuring electron beam property, and a control part which measures the beam property of the electron beam used in all the column cells using the electron beam property detection part and adjusts the electron beam for each column cell so as to nearly equalize the property of the electron beam used in each column cell. The electron beam property can be any one of the beam position, beam intensity and beam shape of an emitted electron beam, and the electron beam property detection part can be a calibration chip or a Faraday cup where a reference mark is formed.
(FR)L'invention vise à proposer un dispositif d'exposition à un faisceau électronique à multiples colonnes et un procédé d'exposition à un faisceau électronique à multiples colonnes qui peuvent améliorer la précision de couplage de motifs entre des cellules de colonne. A cet effet, le dispositif d'exposition à un faisceau électronique à multiples colonnes a des cellules de colonne, un étage de tranche doté d'une partie de détection de propriété de faisceau électronique pour mesurer une propriété de faisceau électronique, et une partie de commande qui mesure la propriété de faisceau du faisceau électronique utilisé dans toutes les cellules de colonne à l'aide de la partie de détection de propriété de faisceau électronique et ajuste le faisceau électronique pour chaque cellule de colonne de façon à presque égaler la propriété du faisceau électronique utilisé dans chaque cellule de colonne. La propriété de faisceau électronique peut être n'importe laquelle parmi la position de faisceau, l'intensité de faisceau et la forme de faisceau d'un faisceau électronique émis, et la partie de détection de propriété de faisceau électronique peut être une puce d'étalonnage ou un collecteur de Faraday où un repère de référence est formé.
(JA)【課題】マルチコラム電子ビーム露光装置においてコラムセル相互間のパターンのつなぎ精度を向上させることが可能なマルチコラム電子ビーム露光装置及びマルチコラム電子ビーム露光方法を提供すること。 【解決手段】マルチコラム電子ビーム露光装置は、複数個のコラムセルと、電子ビーム特性を測定する電子ビーム特性検出部を備えたウエハステージと、電子ビーム特性検出部を用いて、すべてのコラムセルで使用する電子ビームのビーム特性を測定し、各コラムセルで使用する電子ビームの特性を略同一にするように各コラムセルの電子ビームを調整する制御部とを有する。前記電子ビーム特性は、照射される電子ビームのビーム位置、ビーム強度、ビーム形状のうちのいずれかであってもよく、前記電子ビーム特性検出部は、基準マークが形成されたキャリブレーション用チップ又はファラデーカップであってもよい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)